[发明专利]钙钛矿光电器件的合金电极

权利要求书

1.钙钛矿光电器件的合金电极，其特征在于：所述钙钛矿光电器件的合金电极是通过磁控溅射形成于的铜合金电极；所述钙钛矿光电器件的合金电极适用于含有钙钛矿层的太阳能电池；所述铜合金电极是由铜和改性金属制得；所述改性金属为W，Ni，Ti中的至少一种。

2.根据权利要求1所述的钙钛矿光电器件的合金电极，其特征在于：所述铜合金电极中铜含量在51-99.9%，改性金属含量在0.1-49%。

3.根据权利要求1所述的钙钛矿光电器件的合金电极，其特征在于：当所述改性金属为镍，则所述铜合金电极为铜-镍合金电极，铜含量在51-99.9%；

当所述改性金属为钨，则所述铜合金电极为铜-钨合金电极电极，铜含量在51-99.9%，钨含量在0.1-49%；

当所述改性金属为钛，则所述铜合金电极为铜-钛合金电极，铜含量在51-99.9%，钛含量在0.1-49%；

当所述改性金属为镍和钛，则所述铜合金电极为铜-镍-钛合金电极，铜含量在51-99.8%，镍含量在0.1-24.5%，钛含量在0.1-24.5%；

当所述改性金属为镍和钨，则所述铜合金电极为铜-镍-钨合金电极，铜含量在51-99.8%，镍含量0.1-24.5%，钨含量在0.1-24.5%；

当所述改性金属为钛和钨，则所述铜合金电极为铜-钛-钨合金电极，铜含量在51-99.8%，钛含量在0.1-24.5%，钨含量在0.1-24.5%；

当所述改性金属为镍、钛、钨，则所述铜合金电极为铜-镍-钛-钨合金电极，铜含量在51-99.7%，钛含量在0.1-16.3%，钨含量在0.1-16.3%、镍含量在0.1-16.3%。

4.根据权利要求1所述的钙钛矿光电器件的合金电极，其特征在于：所述钙钛矿光电器件的合金电极的制备方法，如下：通过磁控溅射设备，共溅射铜和改性金属，将铜和改性金属共同沉积在玻璃基板上，其中，铜靶的溅射电流为0.10-0.20A，Ar气流量控制在10-20，镍靶的溅射电流维持在0.01-0.04A，Ar气流量控制在10-20，溅射时间是10-20min。

5.一种利用权利要求1-4中任一项所述的钙钛矿光电器件的合金电极制备的钙钛矿太阳能电池，其特征在于：包括依次堆叠的基底、透明电极层、第一界面层、纳米颗粒修饰层、钙钛矿薄膜层、第二界面层、缓冲层、权利要求1-3中任一项所述的钙钛矿光电器件的合金电极层组成。

6.根据权利要求5所述的一种利用钙钛矿光电器件的合金电极制备的钙钛矿太阳能电池，其特征在于：所述透明电极层为铟锡氧化物ITO或者氟掺杂氧化锡FTO；所述第一界面层为PTAA、NiO、P3HT、SnO₂、TiO₂中的一种；所述第二界面层为PCBM、C₆₀、SnO₂、酞菁铜、P₃HT中的一种；所述背电极层为ITO、Ag、Cu中的一种或者ITO、Ag、Cu形成的复合电极；所述纳米颗粒修饰层中的纳米颗粒为氧化铝、氧化铪、氧化锆、氧化钛、氧化锡、氧化镍中的一种或多种组合。

7.根据权利要求5或6所述的一种利用钙钛矿光电器件的合金电极制备的钙钛矿太阳能电池，其特征在于：包括依次堆叠的玻璃基底、透明ITO薄膜层、PTAA薄膜层、纳米氧化铝修饰层、钙钛矿薄膜层、C60电子传输层、SnO₂缓冲层、权利要求1-3中任一项所述的钙钛矿光电器件的合金电极层组成。