[发明专利]一种促进LED散热的PCB-氮化硼薄膜复合结构

权利要求书

1.一种促进LED散热的PCB-氮化硼薄膜复合结构，其特征在于，包括PCB板(1)、六方氮化硼薄膜(2)、待散热LED芯片和导热胶(8)，PCB板(1)上沉积有六方氮化硼薄膜(2)，六方氮化硼薄膜(2)上通过导热胶(8)固定安装有待散热LED芯片，待散热LED芯片与PCB板(1)之间电连接。

2.根据权利要求1所述的一种促进LED散热的PCB-氮化硼薄膜复合结构，其特征在于，所述六方氮化硼薄膜(2)的形状与厚度根据LED散热方向、路径以及面积计算获得。

3.根据权利要求1所述的一种促进LED散热的PCB-氮化硼薄膜复合结构，其特征在于，所述六方氮化硼薄膜(2)是通过物理气相沉积法沉积在PCB板(1)上，具体包括以下步骤：

1)清洁PCB板(1)的表面，接着将金属掩模版固定在已表面清洁的PCB板(1)表面后送入真空度为10^-3Pa的反应室；

2)向反应室通入保护气体氩气，调节反应室压强至0.1-1Pa，使得反应室中产等离子体；

3)控制PCB板(1)的偏压在-300―-500V范围内，再以物理气相沉积法在PCB板(1)上进行六方氮化硼薄膜的沉积。

4.根据权利要求3所述的一种促进LED散热的PCB-氮化硼薄膜复合结构，其特征在于，所述金属掩模版的材料为铜、不锈钢、钼中的一种。

5.根据权利要求3所述的一种促进LED散热的PCB-氮化硼薄膜复合结构，其特征在于，所述金属掩模版的图案根据PCB板(1)的尺寸、PCB板上可供六方氮化硼薄膜(2)沉积的区域、LED芯片散热需求进行设置。

6.根据权利要求3所述的一种促进LED散热的PCB-氮化硼薄膜复合结构，其特征在于，所述金属掩模版的厚度为0.3mm。

7.根据权利要求1所述的一种促进LED散热的PCB-氮化硼薄膜复合结构，其特征在于，所述六方氮化硼薄膜(2)的六方氮化硼含量为95％以上。

8.根据权利要求1所述的一种促进LED散热的PCB-氮化硼薄膜复合结构，其特征在于，所述待散热LED芯片替换为安装有电容、电阻或电感的在使用过程会发热的芯片。