[发明专利]一种基于钴基的异质结纳米复合材料及其制备方法与应用在审
申请号: | 202310348880.0 | 申请日: | 2023-04-04 |
公开(公告)号: | CN116429853A | 公开(公告)日: | 2023-07-14 |
发明(设计)人: | 陈龙;庞建祥;张浩筠;金山;单会玲;张童;廖慕白;安大麾 | 申请(专利权)人: | 石河子大学 |
主分类号: | G01N27/327 | 分类号: | G01N27/327;C08G83/00;G01N27/48 |
代理公司: | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人: | 王雪 |
地址: | 832003 新疆维吾尔*** | 国省代码: | 新疆;65 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 异质结 纳米 复合材料 及其 制备 方法 应用 | ||
1.一种基于钴基的异质结纳米复合材料的制备方法,包括以下步骤:
将ZIF-67纳米片进行热解氧化处理,得到二维Co3O4纳米片;
将所述二维Co3O4纳米片与阳离子表面活性剂、水、可溶性金属盐和硼氢化盐混合,进行还原反应,得到基于钴基的异质结纳米复合材料;所述可溶性金属盐包括铜或镍的可溶性盐。
2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述热解氧化处理为微波碳浴。
3.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,所述微波碳浴的微波功率为560~800W;所述微波碳浴的时间为10~40min;所述微波碳浴的掩埋深度为-2.0~+2.0cm。
4.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述硼氢化盐包括硼氢化钠或硼氢化钾。
5.根据权利要求1或4所述的制备方法,其特征在于,所述二维Co3O4纳米片中的钴离子、可溶性金属盐中的金属离子和硼氢化盐中的硼氢根离子的物质的量之比为(0.2~1):1:(5~20)。
6.权利要求1~5任意一项所述制备方法制备得到的基于钴基的异质结纳米复合材料,包括二维多孔纳米片以及负载在所述二维多孔纳米片上的纳米颗粒,所述二维多孔纳米片为二维Co3O4纳米片,所述纳米颗粒包括镍颗粒或者由Cu和Cu2+1O形成的颗粒。
7.根据权利要求6所述的基于钴基的异质结纳米复合材料,其特征在于,所述二维多孔纳米片的厚度为20~100nm。
8.根据权利要求6所述的基于钴基的异质结纳米复合材料,其特征在于,所述纳米颗粒的粒径为50~300nm。
9.一种工作电极,所述工作电极包括基底和涂敷于所述基底上的修饰材料,所述修饰材料包括权利要求6~8任意一项所述基于钴基的异质结纳米复合材料。
10.权利要求9所述的工作电极在光电化学检测葡萄糖中的应用。
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