[发明专利]一种低温共烧陶瓷材料及其制备方法

权利要求书

1.一种低温共烧陶瓷材料，其特征在于，其制备原料为MgGa₂O₄和CuMoO₄两种粉体，所述MgGa₂O₄和CuMoO₄粉体的质量比为8～4:2～6；其介电常数为5.6～6.9，Q×f值为9000～16000GHz，谐振频率温度系数为-65～-42ppm/℃；所述低温共烧陶瓷材料的制备方法，包含以下步骤：

(1)按化学计量比称取MgO、Ga₂O₃，进行湿法球磨，得到混合料；

(2)对(1)所述混合料进行干燥、研磨、过筛和预烧处理，合成MgGa₂O₄，预烧温度为1100～1300℃，保温3～5小时，升温速率为3～5℃/min；

(3)按化学计量比称取CuO、MoO₃，进行湿法球磨，得到混合料；

(4)对(3)所述混合料进行干燥、研磨、过筛和预烧处理，合成CuMoO₄，预烧温度为450～600℃，保温8～12小时，升温速率为3～5℃/min；

(5)按质量百分比称取MgGa₂O₄和CuMoO₄，进行湿法球磨，得到混合料；

(6)对(5)所述混合料进行干燥、研磨、过筛、造粒和干压成型处理，得到生坯，并进行排胶处理；

(7)对所述生坯进行烧结处理，得到所述低温共烧陶瓷，其中烧结温度为825～950℃，保温时间为4～8小时，升温速率为3～5℃/min。

2.根据权利要求1所述的低温共烧陶瓷材料，其特征在于步骤(1)(3)(5)中所述的湿法球磨介质为乙醇，球料质量比为(6～10):1，球磨的转速为250～350转/分钟，球磨时间为8～12小时。

3.根据权利要求1所述的低温共烧陶瓷材料，其特征在于步骤(2)(4)(6)中所述的干燥过程中烘箱温度为60～100℃，时间为6～10小时；所述的过筛处理使用筛的目数为100。

4.根据权利要求1所述的低温共烧陶瓷材料，其特征在于步骤(6)中所述的造粒包括向干燥好的混合料中添加粘结剂，并进行混合，以将所述干燥混合料制成平均粒径大小为0.1～0.5mm的颗粒；所述干压成型的压力为100～200兆帕，保压时间1～2分钟；所述排胶处理的温度为300～500℃，升温速率为1～2℃/min，时间为4～8小时。