[发明专利]一种插损计算模型构建方法、装置、设备及存储介质

权利要求书

1.一种插损计算模型构建方法，其特征在于，包括：

获取胶膜层的介质损耗因子；

在所述胶膜层的两侧形成表面处理后的金属箔，得到第一电路板前体；

利用所述第一电路板前体制作第一微带线，并测量所述第一微带线的插损；

将所述第一微带线的插损和所述胶膜层的介质损耗因子代入粗糙度计算模型中计算表面处理后的金属箔的等效粗糙度；

基于所述第二金属箔的等效粗糙度构建插损计算模型。

2.根据权利要求1所述的插损计算模型构建方法，其特征在于，获取胶膜层的介质损耗因子，包括：

在胶膜层的两侧形成金属箔，得到第二电路板前体，其中，所述金属箔的表面粗糙度为已知的；

利用所述第二电路板前体制作第二微带线，并测量所述第二微带线的插损；

将所述第二微带线的插损和金属箔的表面粗糙度代入粗糙度计算模型中，反推出所述胶膜层的介质损耗因子。

3.根据权利要求1所述的插损计算模型构建方法，其特征在于，还包括：

在介质层的两侧形成胶膜层；

在所述介质层的两侧的胶膜层上分别形成金属箔，得到第三电路板前体；

利用所述第三电路板前体制作第三微带线，并测量所述第三微带线的插损；

将所述第三微带线的插损、所述胶膜层的介质损耗因子和所述金属箔的表面粗糙度代入所述粗糙度计算模型中，反推所述介质层的介质损耗因子；

在所述介质层的两侧形成表面处理后的金属箔，得到第四电路板前体；

利用所述第四电路板前体制作第四微带线，并测量所述第四微带线的插损；

将所述第四微带线的插损和所述介质层的介质损耗因子代入所述粗糙度计算模型中计算表面处理后的金属箔的等效粗糙度；

基于所述介质层的介质损耗因子和表面处理后的金属箔的等效粗糙度构建插损计算模型。

4.根据权利要求1-3任一所述的插损计算模型构建方法，其特征在于，所述粗糙度计算模型为hammerstad模型、hemisphere模型或huray模型。

5.根据权利要求1-3任一所述的插损计算模型构建方法，其特征在于，所述金属箔为铜箔。

6.根据权利要求1-3任一所述的插损计算模型构建方法，其特征在于，所述第一微带线、第二微带线、第三微带线和第四微带线中的接地层为实心地条组成的网格结构。

7.根据权利要求6所述的插损计算模型构建方法，其特征在于，所述第一微带线、第二微带线、第三微带线和第四微带线中的信号线与所述接地层的网格结构中的实心地条对心设置。

8.一种插损计算模型构建装置，其特征在于，包括：

介质损耗因子获取模块，用于获取胶膜层的介质损耗因子；

第一制作模块，用于在所述胶膜层的两侧形成表面处理后的金属箔，得到第一电路板前体；

第二制作模块，用于利用所述第一电路板前体制作第一微带线，并测量所述第一微带线的插损；

等效粗糙度计算模块，用于将所述第一微带线的插损和所述胶膜层的介质损耗因子代入粗糙度计算模型中计算表面处理后的金属箔的等效粗糙度；

插损计算模型构建模块，用于基于所述第二金属箔的等效粗糙度构建插损计算模型。

9.一种电子设备，其特征在于，包括：

一个或多个处理器；

存储器，用于存储一个或多个程序；

当所述一个或多个程序被所述一个或多个处理器执行，使得所述一个或多个处理器实现如权利要求1-7中任一所述的插损计算模型构建方法。

10.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机可读存储介质中存储有计算机执行指令，所述计算机执行指令被处理器执行时用于实现如权利要求1-7中任一项所述的插损计算模型构建方法。