[发明专利]一种可实现可靠绝缘的兆伏级高压真空绝缘堆栈

权利要求书

1.一种可实现可靠绝缘的兆伏级高压真空绝缘堆栈，包括层叠的M层高压真空绝缘堆栈，所述M层高压真空绝缘堆栈的内侧为真空介质，外侧为液体绝缘介质；每层所述高压真空绝缘堆栈包括同轴堆叠的多个绝缘环(1)，每两个绝缘环(1)之间同轴设置有一个金属均压环(2)，且金属均压环(2)的内侧和外侧分别延伸出绝缘环(1)的内侧壁和外侧壁；所述相邻两层高压真空绝缘堆栈之间以及第M层高压真空绝缘堆栈上端分别同轴密封设置有环形的第一支撑电极(3)，第一层高压真空绝缘堆栈下端同轴密封设置有环形的第二支撑电极(4)，且第一支撑电极(3)和第二支撑电极(4)的内侧壁均延伸出绝缘环(1)的内侧壁，并浸没在真空介质中，其外侧壁均延伸出绝缘环(1)的外侧壁，并浸没在液体绝缘介质中；所述第一支撑电极(3)位于液体绝缘介质中且与相应绝缘环(1)接触的位置同轴设置有环形的三相点电场屏蔽结构(5)；所述三相点电场屏蔽结构(5)包括设置在第一支撑电极(3)上端面的第一环形半圆凸起(51)，以及对称设置在第一支撑电极(3)下端面的第二环形半圆凸起(52)；M为大于等于2的偶数；其特征在于：

所述第二环形半圆凸起(52)上靠近绝缘环(1)一侧且连接第一支撑电极(3)的位置同轴开设有环形的排气槽(6)；

所述排气槽(6)由下至上斜向开设，且其槽宽小于第二环形半圆凸起(52)的截面半径；

所述第一支撑电极(3)上端面上对应第一环形半圆凸起(51)外侧的位置周向开设有与排气槽(6)连通的多个排气孔(7)。

2.根据权利要求1所述的一种可实现可靠绝缘的兆伏级高压真空绝缘堆栈，其特征在于：

所述排气孔(7)的孔径等于排气槽(6)的槽宽。

3.根据权利要求1或2所述的一种可实现可靠绝缘的兆伏级高压真空绝缘堆栈，其特征在于：

所述第一支撑电极(3)表面与液体绝缘介质接触的位置设置有亲水层。

4.一种可实现可靠绝缘的兆伏级高压真空绝缘堆栈，包括层叠的M层高压真空绝缘堆栈，所述M层高压真空绝缘堆栈的内侧为真空介质，外侧为液体绝缘介质；每层所述高压真空绝缘堆栈包括中空柱状的一体化绝缘筒和多个金属均压环(2)；多个金属均压环(2)沿轴向依次同轴设置在一体化绝缘筒的外壁上，且金属均压环(2)的外侧壁悬浮在一体化绝缘筒的外侧，其内侧壁嵌入一体化绝缘筒侧壁内；所述相邻两层高压真空绝缘堆栈之间以及第M层高压真空绝缘堆栈上端分别同轴密封设置有环形的第一支撑电极(3)，第一层高压真空绝缘堆栈下端同轴密封设置有环形的第二支撑电极(4)，且第一支撑电极(3)和第二支撑电极(4)的内侧壁均浸没在真空介质中，其外侧壁均浸没在液体绝缘介质中；所述第一支撑电极(3)位于液体绝缘介质中且与一体化绝缘筒接触的位置同轴设置有环形的三相点电场屏蔽结构(5)；所述三相点电场屏蔽结构(5)包括设置在第一支撑电极(3)上端面的第一环形半圆凸起(51)，以及对称设置在第一支撑电极(3)下端面的第二环形半圆凸起(52)；M为大于等于2的偶数；其特征在于：

所述第二环形半圆凸起(52)上靠近绝缘环(1)一侧且连接第一支撑电极(3)的位置同轴开设有环形的排气槽(6)；

所述排气槽(6)由下至上斜向开设，且其槽宽小于第二环形半圆凸起(52)的截面半径；

所述第一支撑电极(3)上端面上对应第一环形半圆凸起(51)外侧的位置周向开设有与排气槽(6)连通的多个排气孔(7)。

5.根据权利要求4所述的一种可实现可靠绝缘的兆伏级高压真空绝缘堆栈，其特征在于：

所述排气孔(7)的孔径等于排气槽(6)的槽宽。

6.根据权利要求4或5所述的一种可实现可靠绝缘的兆伏级高压真空绝缘堆栈，其特征在于：

所述第一支撑电极(3)表面与液体绝缘介质接触的位置设置有亲水层。