[发明专利]基于纳米磁体阵列的可重构自旋波传输通道有效

专利信息
申请号: 202310333817.X 申请日: 2023-03-31
公开(公告)号: CN116053729B 公开(公告)日: 2023-06-20
发明(设计)人: 王永磊;许文兵;黄培源;董思宁 申请(专利权)人: 南京大学
主分类号: H01P1/11 分类号: H01P1/11;H01P3/00;H01F10/32
代理公司: 南京智转慧移知识产权代理有限公司 32649 代理人: 田沛沛
地址: 210023 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 基于 纳米 磁体 阵列 可重构 自旋 传输 通道
【权利要求书】:

1.一种基于纳米磁体阵列的可重构自旋波传输通道,其特征在于:在底层铁磁层上布置纳米小磁体阵列,纳米小磁体阵列包括方向不同的两个部分,通过施加不同方向的外加磁场,来改变底层铁磁层和纳米磁体阵的磁化状态,从而调节铁磁层中的磁畴壁状态,进而实现可重构的自旋波传输通道,通过调节纳米小磁体的间距以及不同纳米小磁体阵列的间距来调节磁畴壁中的自旋波传输特性。

2.根据权利要求1所述的基于纳米磁体阵列的可重构自旋波传输通道,其特征在于:一部分纳米小磁体阵列在小正方形格子的中心位置呈顺时针旋转30-60°排列,另一部分纳米小磁体阵列在小正方形格子的中心位置呈逆时针旋转30-60°排列,两部分阵列旋转角度相同,两部分纳米小磁体阵列对称分布。

3.根据权利要求2所述的基于纳米磁体阵列的可重构自旋波传输通道,其特征在于:纳米小磁体阵列在小正方形格子的中心位置旋转的角度为30°、45°或者60°。

4.根据权利要求1所述的基于纳米磁体阵列的可重构自旋波传输通道,其特征在于:通过调节纳米小磁体的间距来调节磁畴壁中的自旋波共振频率,同时通过调节两部分纳米小磁体阵列的间距来改变磁畴壁的宽度,从而改变磁畴壁中的自旋波共振频率。

5.根据权利要求1所述的基于纳米磁体阵列的可重构自旋波传输通道,其特征在于:将纳米小磁体的横向间距缩小,磁畴壁中的自旋波共振频率升高。

6.根据权利要求1所述的基于纳米磁体阵列的可重构自旋波传输通道,其特征在于:两部分纳米小磁体阵列之间的距离为120nm-150nm。

7.根据权利要求2所述的基于纳米磁体阵列的可重构自旋波传输通道,其特征在于:小正方形格子的边长为190-250nm。

8.根据权利要求1所述的基于纳米磁体阵列的可重构自旋波传输通道,其特征在于:底层铁磁层的材料为铁镍合金,厚度为10nm。

9.根据权利要求1所述的基于纳米磁体阵列的可重构自旋波传输通道,其特征在于:将纳米小磁体阵列长度方向的和宽度方向的中心位置作为激发位置,施加面内x方向的正弦磁场,在中间磁畴壁区域激发出自旋波,构建出自旋波传输的通道,磁畴壁中的自旋波波长随频率升高而变短。

10.根据权利要求9所述的基于纳米磁体阵列的可重构自旋波传输通道,其特征在于:通过外加磁场改变底层铁磁层和纳米磁体阵磁化状态,可重构或者可开关自旋波传输通道。

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