[发明专利]蒸发装置、真空蒸镀设备以及真空蒸镀方法

权利要求书

1.一种蒸发装置，用于真空蒸镀金属，其特征在于，所述蒸发装置包括：

电阻蒸发源，具有容置凹槽，所述电阻蒸发源配置为加电后产生热量；以及

导热蒸发坩埚，可拆卸地容置在所述容置凹槽中，所述导热蒸发坩埚配置为容置待蒸镀金属以及传导所述热量使得所述待蒸镀金属均匀蒸发。

2.根据权利要求1所述的蒸发装置，其中，所述电阻蒸发源的材质包括导体材料或半导体材料。

3.根据权利要求2所述的蒸发装置，其中，所述电阻蒸发源的材质包括：

氮化硼，二硼化钛，氮化铝，氧化铝，氧化锆，碳化硅，氮化硅中的至少两种构成的组合物；或者

金属和石墨中的至少一种。

4.根据权利要求1所述的蒸发装置，其中，所述电阻蒸发源的电阻率范围为2×10^-6Ωm～5×10^-5Ωm；

和/或，所述导热蒸发坩埚的电阻率大于5×10^-5Ωm。

5.根据权利要求1所述的蒸发装置，其中，所述导热蒸发坩埚的材质包括绝缘材料或半导体材料。

6.根据权利要求5所述的蒸发装置，其中，所述导热蒸发坩埚的材质包括：

氮化硼，氧化铝，氮化铝，氧化铍，氧化镁，碳化硅，氮化硅中的至少一种；或者

氮化硼，二硼化钛，氮化铝，氧化铝，氧化锆，碳化硅，氮化硅中的至少两种构成的组合物。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的蒸发装置，其中，当所述导热蒸发坩埚容置在所述容置凹槽中时，所述导热蒸发坩埚外侧壁与所述容置凹槽内侧壁形成间隙，所述间隙的厚度为0.1mm～0.2mm。

8.根据权利要求7所述的蒸发装置，其中，所述蒸发装置还包括：

导热材料，填充在所述间隙中。

9.根据权利要求1至6中任一项所述的蒸发装置，其中，所述电阻蒸发源包括第一表面，所述容置凹槽形成在所述第一表面上，

所述导热蒸发坩埚包括裙边，当所述导热蒸发坩埚容置在所述容置凹槽中时，所述裙边在所述第一表面上的正投影遮蔽所述第一表面的至少一部分。

10.根据权利要求9所述的蒸发装置，其中，所述电阻蒸发源包括相对的第一端部和第二端部，所述第一端部和第二端部分别配置为接入电源的正负极，

所述导热蒸发坩埚还包括挡板，自所述裙边靠近所述第一端部和/或第二端部的边缘远离所述第一表面延伸。

11.根据权利要求1至6中任一项所述的蒸发装置，其中，所述导热蒸发坩埚的高度大于所述容置凹槽的深度。

12.根据权利要求1至6中任一项所述的蒸发装置，其中，所述导热蒸发坩埚的厚度为2～5mm。

13.真空蒸镀设备，包括权利要求1至12中任一项所述的蒸发装置。

14.一种真空蒸镀方法，利用权利要求13所述的真空蒸镀设备，其特征在于，所述真空蒸镀方法包括：

将所述蒸发装置安装在真空蒸镀设备中，并在所述导热蒸发坩埚中放置预设量的待蒸镀金属；

将载体安装至所述真空蒸镀设备中，并将真空蒸镀设备内部抽真空；

对所述电阻蒸发源输入电压使得所述电阻蒸发源产生热量传导至所述导热蒸发坩埚；

按照预设送丝速度向所述导热蒸发坩埚输送待蒸镀金属丝以形成稳定熔池；以及

按照预设速度传输所述载体，使得所述待蒸镀金属均匀蒸镀在所述载体上。