[发明专利]制备氮化硼纳米管的方法、纳米材料、半导体器件及装置

权利要求书

1.一种制备氮化硼纳米管的方法，包括如下步骤：

原位硼源实现：经过清洗并抛光的金属基底，在金属基底表面形成原位硼源，即得到具有原位硼源的生长基底，所述金属基底选自熔点温度高于氮化硼纳米管生长温度的，所述原位硼源为采用渗硼处理得到，所述渗硼处理为在保护气氛围下以2~10℃/min的速度升温至800~1000℃，保温1~6小时，降温至室温；

纳米管生长：准备催化剂溶液并部分或者全部地涂覆于所述生长基底上以形成生长区域，而后在保护气氛围下以2~30℃/min的升温速率，升至1200~1350℃后，通入氨气保温30~180min，随炉冷却至室温即可得到在生长区域内形成的氮化硼纳米管：所述催化剂溶液为至少两种可溶金属盐的混合水溶液，所述生长区域为具有原位硼源的区域。

2.如权利要求1所述的制备氮化硼纳米管的方法，其特征在于，所述保护气氛围选自氩气氛围、氦气氛围。

3.如权利要求1所述的制备氮化硼纳米管的方法，其特征在于，所述催化剂溶液为硝酸铝、硝酸镁的混合水溶液。

4.如权利要求3所述的制备氮化硼纳米管的方法，其特征在于，所述催化剂溶液中硝酸镁的浓度为0.1~0.5mol/L。

5.如权利要求3所述的制备氮化硼纳米管的方法，其特征在于，所述催化剂溶液中硝酸铝的浓度为0.2~1mol/L。

6.如权利要求3~5任一所述的制备氮化硼纳米管的方法，其特征在于，所述催化剂溶液为0.4mol/L硝酸铝、0.2mol/L硝酸镁的混合水溶液。

7.如权利要求1所述的制备氮化硼纳米管的方法，其特征在于，所述金属基底选自纯铁基底、纯镍基底、合金基底。

8.氮化硼纳米材料，包括由如权利要求1~7任一所述的制备氮化硼纳米管的方法制备获得纳米材料。

9.半导体器件，包括至少由如权利要求8所述的氮化硼纳米材料形成的响应端子。

10.装置，包括如权利要求9所述的半导体器件以及连接到所述半导体器件的通信装置。