[发明专利]一种屏蔽栅沟槽MOSFET

权利要求书

1.一种屏蔽栅沟槽MOSFET，其特征在于包括：N型重掺杂衬底(1)、位于N型重掺杂衬底(1)上的漂移层(2)、漂移层(2)上部的P型扩散区(3)、位于P型扩散区(3)顶部的N型重掺杂扩散区(4)；位于N型重掺杂扩散区(4)上部的金属电极隔离氧(11)，贯穿金属电极隔离氧(11)与N型重掺杂扩散区(4)与P型扩散区(3)的楔形金属电极(12)、位于N型重掺杂扩散区(4)与P型扩散区(3)之间的P型重掺杂区(13)、位于器件顶部与楔形金属电极(12)接触的源极电极(14)、位于器件底部与N型重掺杂衬底(1)接触的漏极电极(15)；

任取两相邻台面连线为剖面线AA’，沿AA’截面方向，在漂移层(2)内部设有深槽(5)，深槽(5)的底部靠近漂移层(2)与N型重掺杂衬底(1)的交界处，深槽(5)内底部及侧壁设有隔离场氧(7)，隔离场氧(7)内部为屏蔽栅多晶硅(8)，深槽(5)上部屏蔽栅多晶硅(8)的两侧上方为控制栅多晶硅(10)，控制栅多晶硅(10)两侧的侧壁为栅氧化层(9)；

BB’截面与AA’截面之间的夹角为α，α取0度到180度之间任意值，沿BB’的截面方向，在漂移层(2)内部设有浅槽(6)，浅槽(6)的深度深于P型扩散区(3)与漂移层(2)交界处，浅槽(6)内设有控制栅多晶硅(10)，控制栅多晶硅(10)两侧的浅槽侧壁设有栅氧化层(9)。

2.根据权利要求1所述的一种屏蔽栅沟槽MOSFET，其特征在于：BB’截面与AA’截面垂直。

3.根据权利要求1所述的一种屏蔽栅沟槽MOSFET，其特征在于：浅槽(6)在BB’截面的宽度小于深槽(5)在AA’截面的宽度，浅槽(6)数量大于深槽(5)的数量。

4.根据权利要求1所述的一种屏蔽栅沟槽MOSFET，其特征在于：浅槽(6)内的控制栅多晶硅(10)在BB’截面的宽度与深槽(5)内的控制栅多晶硅(10)在AA’截面的宽度相同。

5.根据权利要求1所述的一种屏蔽栅沟槽MOSFET，其特征在于：在深槽(5)之间沿垂直AA’截面方向增加多个浅槽(6)。

6.根据权利要求1所述的一种屏蔽栅沟槽MOSFET，其特征在于：在相邻深槽之间设立三种不同角度的浅槽，与深槽分别成60度、90度、120度夹角，浅槽相互拼接形成六边形网格结构。

7.根据权利要求1至6任意一项所述的一种屏蔽栅沟槽MOSFET，其特征在于：所述器件结构中各掺杂类型相应变为相反的掺杂，即P型掺杂变为N型掺杂的同时，N型掺杂变为P型掺杂。