[发明专利]电极制作方法、电极和半导体器件

权利要求书

1.一种电极制作方法，其特征在于，包括：

在硅衬底表面溅射预设厚度的电极层；

调整光刻机的曝光参数，通过调整后的所述光刻机在所述电极层的表面制备侧壁呈斜坡结构的光刻胶图形，其中，调整后的所述光刻机发出的光线在所述光刻胶的制备过程中发生衍射效应；

根据所述光刻胶图形和预设的刻蚀工艺参数调整方案，通过刻蚀机对所述电极层进行刻蚀，得到侧壁呈斜坡结构的电极图形；

所述调整光刻机的曝光参数，包括：

基于预设的所述光刻胶图形对应的斜坡角度，确定所述光刻机对应的曝光参数值；

根据所述曝光参数值，调整所述光刻机的曝光参数；

其中，所述曝光参数包括焦面和曝光量，所述斜坡角度与所述焦面负相关，同时改变焦面和曝光量的曝光模式，将焦面的中心值设为21μm、步进值设为3μm，将曝光量的中心值设为22mJ/cm²、步进值设为1mJ/cm²。

2.根据权利要求1所述的电极制作方法，其特征在于，所述根据所述光刻胶图形和预设的刻蚀工艺参数调整方案，通过刻蚀机对所述电极层进行刻蚀，得到侧壁呈斜坡结构的电极图形，包括：

根据所述光刻胶图形的位置，确定刻蚀区域；

根据所述刻蚀工艺参数调整方案，控制所述刻蚀机在所述刻蚀区域对所述电极层进行刻蚀，得到侧壁呈斜坡结构的电极图形；

其中，在刻蚀过程中，所述光刻胶图形用作所述电极层的掩膜。

3.根据权利要求1所述的电极制作方法，其特征在于，所述光刻胶图形对应的斜坡角度范围为30°~80°。

4.根据权利要求1所述的电极制作方法，其特征在于，所述电极图形对应的斜坡角度范围为5°~40°。

5.根据权利要求1所述的电极制作方法，其特征在于，所述刻蚀工艺参数调整方案包括待调整的刻蚀工艺参数以及所述刻蚀工艺参数对应的调整方案。

6.根据权利要求5所述的电极制作方法，其特征在于，所述刻蚀工艺参数至少包括射频功率、腔体气压、离子源功率，所述射频功率对应的调整方案为增加所述射频功率的数值，所述腔体气压对应的调整方案为根据对刻蚀各向异性或刻蚀各向同性的需求，调整所述腔体气压的数值，所述离子源功率对应的调整方案为增加所述离子源功率的数值。

7.根据权利要求1所述的电极制作方法，其特征在于，在所述通过调整后的所述光刻机在所述电极层的表面制备侧壁呈斜坡结构的光刻胶图形之后，还包括：

获取所述光刻胶图形的侧壁宽度；

基于预设的光刻胶厚度和所述侧壁宽度，确定所述光刻胶图形对应的实际斜坡角度以实现对所述光刻胶图形的校验。

8.一种电极，其特征在于，基于权利要求1至7任一项所述的电极制作方法制作。

9.一种半导体器件，其特征在于，包括权利要求8所述的电极。