[发明专利]一种银胶及其制备方法在审
| 申请号: | 202310313661.9 | 申请日: | 2023-03-28 |
| 公开(公告)号: | CN116313223A | 公开(公告)日: | 2023-06-23 |
| 发明(设计)人: | 孙立志;卢晓鹏;周贤界;黄勇彪 | 申请(专利权)人: | 深圳市众诚达应用材料科技有限公司 |
| 主分类号: | H01B1/22 | 分类号: | H01B1/22;H01B13/00 |
| 代理公司: | 北京正和明知识产权代理事务所(普通合伙) 11845 | 代理人: | 李建刚 |
| 地址: | 518132 广东省深圳市光*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 及其 制备 方法 | ||
本发明公开了一种银胶及其制备方法,尤其是一种适合无压烧结工艺的无树脂银胶及其制备方法。该方法为将己二酸和乙酸溶于挥发性有机溶剂中,搅拌均匀,形成改性剂溶液;将银粉加入所述的改性剂溶液中,形成湿态改性银粉;依次将二乙烯基苯、乙二醇二甲基丙烯酸酯和松油醇加入到所述的湿态改性银粉中,搅拌均匀即得。本发明采用改性微米级银粉,避免使用纳米银粉造成的团聚现象,加入少量改性液起到了部分刻蚀片状银粉的功能,使得既含有高烧结活性银粉,也含有高导电银粉,烧结形成烧结颈,从而实现高导热高剪切力的连接;体系中不含难挥发的树脂成分,降低电阻,提高导热性能,实现界面处纯银连接。
技术领域
本发明涉及一种银胶及其制备方法,尤其涉及一种适合无压烧结工艺的无树脂银胶及其制备方法。
背景技术
银烧结技术也被称为低温连接技术,是指采用微米甚至纳米级的银颗粒通过烧结进行材料连接的技术,是碳化硅半导体模块中的关键封装技术。
传统导电胶的热导率较低,而且导电胶的玻璃转化温度较低,随着使用时间的增长,导电胶的树脂基体会逐渐出现疲劳失效的情况,热阻升高,对于芯片的散热和物理性能极为不利。适合无压烧结的低温烧结银胶应具备“低温焊接、高温服役”的特点,其应具有高的金属热导率及电导率,具有良好的可靠性。
目前低温烧结银胶的制备主要是将纳米银粉、树脂、溶剂和助剂混合后直接添加,这种方法很容易存在团聚现象,同时因为组分中含有树脂,在低温下树脂无法完全挥发,导致残留在体系中,导电性能较差。因此有必要对现有技术进行改进,以解决现有技术中存在的缺陷。
有鉴于此,特提出本发明。
发明内容
本发明的目的在于提供一种银胶及其制备方法,以解决上述问题。
为实现以上目的,本发明特采用以下技术方案:
本发明提供一种银胶的制备方法,包括如下步骤:
S1:将己二酸和乙酸溶于挥发性有机溶剂中,搅拌均匀,形成改性剂溶液。
进一步地,所述己二酸和乙酸按照重量份分别为0.2-0.3份和0.4-0.6份。
优选地,所述挥发性有机溶剂为无水乙醇。
更优选地,所述无水乙醇按照重量份为8-12份。
S2:将银粉加入步骤S1中所述的改性剂溶液中,形成湿态改性银粉。
优选地,所述银粉为微米级银粉;
更优选地,所述银粉为微米级片状银粉。采用改性微米级银粉,避免使用纳米银粉造成的团聚现象,可以在保证高导热高烧结活性的前提下,实现高固含量银胶的制备。
进一步地,所述银粉按照重量份为90-98份。
优选地,所述银粉加入所述的改性剂溶液中后,充分搅拌。
优选地,所述搅拌为在1500-2500转/分钟的转速下充分搅拌1.5-2.5小时。
S3:依次将二乙烯基苯、乙二醇二甲基丙烯酸酯和松油醇加入到步骤S2的所述的湿态改性银粉中,搅拌均匀,即得。
进一步地,所述二乙烯基苯、乙二醇二甲基丙烯酸酯和松油醇按照重量份分别为0.3-0.6份、0.3-0.6份和3-9份。
优选地,所述搅拌均匀是在温度为50-80℃下进行。
优选地,所述搅拌是在1500-2500转/分钟的转速下充分搅拌0.5-2.0小时。
本发明还要求保护一种由所述的制备方法制得的银胶。
与现有技术相比,本发明的有益效果包括:
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