[发明专利]一种薄膜超材料结构谐振型温度传感器在审
| 申请号： | 202310310011.9 | 申请日： | 2023-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN116295906A | 公开（公告）日： | 2023-06-23 |
| 发明（设计）人： | 王琛英;陈伦涛;田边;张仲恺;王松;刘兆钧;张雅馨;王猛;李博;柳迪;林启敬;蒋庄德 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | G01K11/00 | 分类号： | G01K11/00 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 高博 |
| 地址： | 710049 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜 材料 结构 谐振 温度传感器 | ||
1.一种薄膜超材料结构谐振型温度传感器，其特征在于，包括介质层(2)，介质层(2)上设置有超材料结构(1)，超材料结构(1)构成谐振结构单元。
2.根据权利要求1所述的薄膜超材料结构谐振型温度传感器，其特征在于，超材料结构(1)设置在介质层(2)的中心位置处。
3.根据权利要1的薄膜超材料结构谐振型温度传感器，其特征在于，超材料结构(1)的厚度为500nm～5μm。
4.根据权利要求1所述的薄膜超材料结构谐振型温度传感器，其特征在于，超材料结构(1)为四角带圈符号的方形结构。
5.根据权利要求4所述的薄膜超材料结构谐振型温度传感器，其特征在于，四角带圈符号的方形结构为中心对称结构。
6.根据权利要求5所述的薄膜超材料结构谐振型温度传感器，其特征在于，四角带圈符号方形结构的外环边边长L＝14mm，金属环的宽度t＝1mm，缝隙的宽度s＝1mm，中间方环的边长a＝2mm，方形通孔的边长b＝1mm。
7.根据权利要求1至7中任一项所述的薄膜超材料结构谐振型温度传感器，其特征在于，超材料结构(1)采用金、银或铜中的一种制备而成。
8.根据权利要求1所述的薄膜超材料结构谐振型温度传感器，其特征在于，介质层(2)为圆形结构，厚度为0.1～0.5mm。
9.根据权利要求8所述的薄膜超材料结构谐振型温度传感器，其特征在于，介质层(2)的半径为14～16mm。
10.根据权利要求1所述的薄膜超材料结构谐振型温度传感器，其特征在于，介质层(2)采用介电陶瓷材料制备而成。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安交通大学，未经西安交通大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202310310011.9/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
