[发明专利]温度检测电路、芯片和电子设备

权利要求书

1.一种温度检测电路，其特征在于，包括：热敏电阻、电流检测电路、第一处理电路、第一三极管，其中，

所述电流检测电路与所述热敏电阻连接；所述电流检测电路和所述第一处理电路的第一端连接第一电压端；所述第一处理电路的第二端与所述第一三极管的发射极连接；所述电流检测电路、所述第一三极管的基极和集电极连接第二电压端；

所述电流检测电路用于：检测所述热敏电阻的第一电流信号，将检测到的第一电流信号发送给所述第一处理电路；

所述第一处理电路包括：n个支路，每个所述支路的第一端连接所述第一处理电路的第一端；n≥2；

所述第一处理电路用于：在预设第一周期的第一半周期内循环移位选通1个支路与所述第一处理电路的第二端之间的通路；在预设第一周期的第二半周期内循环移位选通至少2个支路与所述第一处理电路的第二端之间的通路；

所述第一三极管的基极和发射极之间的电压信号用于作为所述温度检测电路进行温度检测的目标电压信号。

2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述第一处理电路包括：n个支路，以及支路选通电路，其中，

所述n个支路的第二端分别对应连接所述支路选通电路的输入端，所述支路选通电路的输出端用于作为所述第一处理电路的第二端；

所述支路选通电路用于：在预设第一周期的第一半周期内循环移位选通1个支路与所述支路选通电路的输出端之间的支路；在预设第一周期的第二半周期内循环移位选通至少2个支路与所述支路选通电路的输出端之间的支路。

3.根据权利要求2所述的电路，其特征在于，所述n个支路中每个支路包括：串联的第一MOS管和第二MOS管；

所述第一MOS管的源极连接所属支路的第一端，漏极连接所述第二MOS管的源极，所述第二MOS管的漏极连接所属支路的第二端。

4.根据权利要求3所述的电路，其特征在于，所述电流检测电路包括：第二三极管、第三三极管、功率放大器、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管和第六MOS管；其中，

所述第二三极管的基极和集电极、所述第三三极管的基极和集电极分别连接所述第二电压端；

所述第二三极管的发射极连接所述功率放大器的第一输入端；

所述第三三极管的发射极连接所述热敏电阻的第一端；

所述功率放大器的第二输入端连接所述热敏电阻的第二端；

所述功率放大器的输出端连接所述第三MOS管的栅极和所述第四MOS管的栅极；

所述功率放大器的第一输入端还依次通过所述第五MOS管和所述第三MOS管连接所述第一电压端；

所述功率放大器的第二输入端依次通过所述第六MOS管和所述第四MOS管连接所述第一电压端；

所述第五MOS管栅极和所述第六MOS管的栅极连接。

5.根据权利要求4所述的电路，其特征在于，还包括：

所述第三MOS管的栅极还连接所述n个支路中第一MOS管的栅极；所述第五MOS管的栅极还连接所述n个支路中第二MOS管的栅极。

6.根据权利要求1至5任一项所述的电路，其特征在于，还包括：

第二处理电路，用于将所述第一半周期内的目标电压信号转换为第一数字电压信号，将所述第二半周期内的目标电压信号转换为第二数字电压信号，根据所述第一数字电压信号和所述第二数字电压信号计算目标温度检测结果。

7.根据权利要求6所述的电路，其特征在于，所述第二处理电路包括：

模拟数字转换器，与所述第一三极管的发射极连接，所述模拟数字转换器用于：将所述第一半周期内的目标电压信号转换为第一数字电压信号，将所述第二半周期内的目标电压信号转换为第二数字电压信号；

数字信号处理模块，与所述模拟数字转换器连接，所述数字信号处理模块用于：根据所述第一数字电压信号和所述第二数字电压信号计算目标温度检测结果。