[发明专利]一种太阳能电池硅片涡流传感器

说明书

本发明提出了一种太阳能电池硅片涡流传感器，涉及涡流传感器技术领域；包括单片机以及和单片机连接的红外测温仪和探头检测组件；单片机，用于获取传感器探头温度和待测电池硅片的目标温度，以及待测电池硅片的多个第一方阻，还用于根据传感器探头温度和传感器探头温度对应的预置探头温度补偿模型对每个第一方阻进行修正，获得与各个第一方阻对应的第二方阻，并根据目标温度和目标温度对应的预置硅片温度补偿模型对每个第二方阻进行修正，获得与各个第二方阻对应的第三方阻，并计算各个第三方阻的平均值，得到对应的目标方阻；能够准确测出探头温度与目标温度两类温度,并各自分别进行补偿,解决方阻的测量值在生产线上重复性差的问题。

技术领域

本发明涉及涡流传感器技术领域，具体而言，涉及一种太阳能电池硅片涡流传感器。

背景技术

目前太阳能电池片生产中，判定扩散是否优良均是通过测试硅片表面的方阻来体现，方块电阻(方阻)检测能够监测离子注入的深度、浓度与表面分布均匀性，对太阳电池生产有重要的作用，方阻的测量主要分为接触式四点探针(4PP)以及非接触式电涡流两大类；电涡流传感器是基于电磁感应原理，利用电涡流效应来快速非接触式的测量被测太阳能电池硅片的方阻，但由于探头制作工艺的问题，其线圈电感量的变化并不与方阻值成线性，探头温度的变化对电感量有较大的影响,同时目标硅片温度对测量结果有较大的影响(以23℃电阻率为1Ω.cm为例,硅片变化5度时,变化率为3.65％)；现有的涡流传感器温度补偿技术如CN109470931A，进行了探头温度和环境温度两类温度来补偿,通过CPU自带的温度传感器测量出环境温度,但并未考虑到流水线现场目标硅片温度与环境温度并不相同，有时相差甚大的实际情况，导致方阻的测量值在生产线上重复性差的问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种太阳能电池硅片涡流传感器，能够准确测出探头温度与目标温度两类温度,并各自分别进行补偿,解决方阻的测量值在生产线上重复性差的问题。

本发明的实施例是这样实现的：

本申请实施例提供了一种太阳能电池硅片涡流传感器，包括单片机以及和单片机连接的红外测温仪和探头检测组件；

红外测温仪，用于监测待测电池硅片的目标温度，并将目标温度传输至单片机，待测电池硅片为太阳能电池硅片；

探头检测组件，用于监测获得传感器探头温度和第一方阻，并将传感器探头温度和第一方阻传输至单片机；

单片机，用于获得传感器探头温度、待测电池硅片的目标温度以及待测电池硅片的多个第一方阻，根据传感器探头温度和传感器探头温度对应的预置探头温度补偿模型对每个第一方阻进行修正，得到多个第二方阻，并根据目标温度和目标温度对应的预置硅片温度补偿模型对每个第二方阻进行修正，得到多个第三方阻，并计算各个第三方阻的平均值，得到目标方阻。

本发明的有益效果是：通过红外测温仪获得待测电池硅片的目标温度，再通过探头检测组件获得涡流传感器探头的传感器探头温度，最后通过目标温度和传感器探头温度对探头检测组件获得的待测电池硅片的方阻进行修正，一方面，达到监测电池硅片方阻的目的，另一方面，通过目标温度和传感器探头温度对方阻的修正，达到提高整体装置精度的目的。

在上述技术方案的基础上，本发明还可以做如下改进。

进一步，上述探头检测组件包括温度监测电路和方阻监测电路；

温度监测电路，用于监测获得传感器探头温度，并将传感器探头温度传输至单片机；

方阻监测电路，用于监测获得多个第一方阻，并将多个第一方阻传输至单片机。

采用上述进一步方案的有益效果是：通过温度监测电路，以获得传感器探头温度，并实时的传输至单片机；通过方阻监测电路，实现获得第一方阻并将第一方阻传输至单片机。

进一步，上述温度监测电路包括RTD电阻和RTD电路，RTD电路还与单片机连接；