[发明专利]一种带微通道的覆铜陶瓷基板及其制备方法

权利要求书

1.一种带微通道的覆铜陶瓷基板，其特征在于：基板结构主体包括依次设置的上层铜片、陶瓷片、下层铜片，所述下层铜片具有微通道结构，所述下层铜片与陶瓷片完全接触，所述微通道结构位于下层铜片内部且微通道的底部与陶瓷片之间具有铜厚。

2.根据权利要求1所述的一种带微通道的覆铜陶瓷基板，其特征在于：所述上层铜片的残铜量与下层铜片的残铜量保持一致。

3.根据权利要求2所述的一种带微通道的覆铜陶瓷基板，其特征在于：所述下层铜片还连接有单块铜片，所述单块铜片与下层铜片键合形成微通道结构。

4.根据权利要求3所述的一种带微通道的覆铜陶瓷基板，其特征在于：所述微通道结构为矩形或蜂窝形或菱形。

5.根据权利要求1所述的一种带微通道的覆铜陶瓷基板，其特征在于：所述陶瓷片厚度为0.2mm-1mm，所述上层铜片与下层铜片的厚度为0.1mm-0.8mm。

6.一种用于制备权利要求1-5任一一项所述的覆铜陶瓷基板的方法，其特征在于，至少包括以下步骤：

S1、制备覆铜陶瓷基板正面；

上层铜片在图形转移过程中，正面菲林按产品需求定制；

S2、制备覆铜陶瓷基板背面；

背面菲林增加微通道结构，其蚀刻为半蚀刻工艺，在下层铜片表面形成微通道结构且未贯穿下层铜片；

S3、制备单块铜片；

取与下层铜片相同大小的单块铜片，半蚀刻出与下层铜片表面镜像的微通道；

S4、烧结；

将单块铜片通过氧化烧结的方式键合到下层铜片表面完成一体化。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于：在S4步骤中，所述氧化烧结的工艺参数为：在氮氧气氛中，200-1050℃下保温10-50min完成氧化；在保护气体条件下，900-1300℃下保温1-24h完成烧结。

8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于：所述下层铜片在烧结之前保持上层铜片的残铜量一致。