[发明专利]一种可大面积制备FAx

权利要求书

1.一种可大面积制备FA_xCs_1-xPbX₃高质量钙钛矿薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1：将CsX、PbX₂和DMAX按照一定比例称量，加入有机溶剂溶解，制备CsX/PbX₂/DMAX前驱体溶液；其中，CsX、PbX₂、DMAX中的X为Cl、Br、I的一种或多种；

S2：将步骤S1所得到的CsX/PbX₂/DMAX前驱体溶液沉积在基底上，得到CsX/PbX₂/DMAX湿膜；

S3：将步骤S2所得到的CsX/PbX₂/DMAX湿膜进行抽真空处理，得到CsX/PbX₂/DMAX半干膜；

S4：将步骤S3得到CsX/PbX₂/DMAX半干膜进行二次沉积FAX溶液，得到CsX/PbX₂/DMAX/FAX湿膜；其中，FAX中的X为I,Br,Cl,SCN中的一种或多种；

S5：将步骤S4得到的CsX/PbX₂/DMAX/FAX湿膜进行抽真空处理，制备得到CsX/PbX₂/DMAX/FAX半干膜。

S6:将步骤S5得到的CsX/PbX₂/DMAX/FAX半干膜进行热退火处理，得到FA_xCs_1-xPbX₃钙钛矿薄膜。

2.根据权利要求1所述的一种可大面积制备FA_xCs_1-xPbX₃高质量钙钛矿薄膜的方法，其特征在于，所述步骤S1，所述有机溶剂采用N,N-二甲基甲酰胺(DMF)、二甲基亚砜(DMSO)、N,N-二甲基乙酰胺(DMAC)、γ-丁内酯(GBL)、N-甲基吡咯烷酮(NMP)、2-甲氧基乙醇(2ME)、乙腈(ACN)中的一种或多种溶剂混合。

3.根据权利要求1所述的一种可大面积制备FA_xCs_1-xPbX₃高质量钙钛矿薄膜的方法，其特征在于，所述步骤S1，所述CsX、PbX₂和DMAX的摩尔比为1：1～2：1～2。

4.根据权利要求1所述的一种可大面积制备FACsPbX₃钙钛矿薄膜的方法，其特征在于，所述步骤S2，所述CsX/PbX₂/DMAX前驱体溶液的浓度为0.0005～2mol/L。

5.根据权利要求1所述的一种可大面积制备FA_xCs_1-xPbX₃高质量钙钛矿薄膜的方法，其特征在于，所述步骤S3，所述CsX/PbX₂/DMAX半干膜需在一定真空度下放置0～60min，0真空度≤0.1MPa。

6.根据权利要求1所述的一种可大面积制备FA_xCs_1-xPbX₃高质量钙钛矿薄膜的方法，其特征在于，所述步骤S4，所述FAX溶液采用低极性溶剂溶解FAX；

所述低极性溶剂采用乙醇、异丙醇、正丁醇、甲醇、乙酸乙酯、乙酸甲酯、二氯甲烷、乙腈、氯苯、甲苯、二氯乙烷、环己烷中的一种或几种溶剂混合。

7.根据权利要求1所述的一种可大面积制备FA_xCs_1-xPbX₃高质量钙钛矿薄膜的方法，其特征在于，所述步骤S5，所述CsX/PbX₂/DMAX/FAX半干膜需在一定真空度下存放0～30min，0真空度≤0.1MPa。