[发明专利]全彩微显示器件及其制备方法

权利要求书

1.一种全彩微显示器件，其特征在于，包括：

像素区域，包括蓝色像素位置、红色像素位置和绿色像素位置，在所述蓝色像素位置设置有蓝色Micro-LED器件，在所述红色像素位置设置有红色QLED器件，在所述绿色像素位置设置有绿色QLED器件，所述蓝色Micro-LED器件、所述红色QLED器件和所述绿色QLED器件共用电极；

硅基驱动芯片，用于驱动所述蓝色Micro-LED器件、所述红色QLED器件和所述绿色QLED器件，所述像素区域设置在所述硅基驱动芯片。

2.根据权利要求1所述的全彩微显示器件，其特征在于，所述硅基驱动芯片为硅基CMOS芯片或者TFT驱动面板。

3.根据权利要求1所述的全彩微显示器件，其特征在于，所述蓝色Micro-LED器件、所述红色QLED器件和所述绿色QLED器件等距间隔排布在所述像素区域。

4.根据权利要求1所述的全彩微显示器件，其特征在于，所述蓝色Micro-LED器件由蓝宝石基底、缓冲层、n-GaN层、绝缘层、透明导电层、蓝色Micro-LED有源层、蓝色Micro-LED阳极和蓝色Micro-LED阴极组成。

5.根据权利要求1所述的全彩微显示器件，其特征在于，所述红色QLED器件由外延层、绝缘层、透明导电层、电子传输层、红色量子点层和有机空穴传输层组成。

6.根据权利要求1所述的全彩微显示器件，其特征在于，所述绿色QLED器件由外延层、绝缘层、透明导电层、电子传输层、绿色量子点层和有机空穴传输层组成。

7.一种电子设备，其特征在于，包括有如权利要求1至6任意一项所述的全彩微显示器件。

8.一种全彩微显示器件制备方法，其特征在于，包括：

在蓝宝石基底的外延片上沉积绝缘层；

在所述外延片上制备出蓝色Micro-LED器件，在所述绝缘层上分别制备出红色QLED器件和绿色QLED器件，其中，所述蓝色Micro-LED器件、所述红色QLED器件和所述绿色QLED器件共用电极；

将所述蓝色Micro-LED器件键合至硅基驱动芯片的蓝色像素位置，将所述红色QLED器件键合至硅基驱动芯片的红色像素位置，将所述绿色QLED器件键合至硅基驱动芯片的绿色像素位置；

在键合完成后，激光剥离所述蓝宝石基底，得到全彩微显示器件。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述在所述外延片上分别制备出蓝色Micro-LED器件，在所述绝缘层上分别制备出红色QLED器件和绿色QLED器件，其中，所述蓝色Micro-LED器件、所述红色QLED器件和所述绿色QLED器件共用电极，包括：

在所述外延片的蓝色像素区域采用预设的半导体工艺制备出所述蓝色Micro-LED器件；

在所述绝缘层的红色像素区域和绿色像素区域位置沉积出透明导电层，其中，所述透明导电层与所述蓝色Micro-LED器件的阴极共用；

在所述红色像素区域采用光刻的方式制备出所述红色QLED器件；

在所述绿色像素区域采用光刻的方式制备出所述绿色QLED器件。

10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述在所述红色像素区域采用光刻的方式制备出所述红色QLED器件，包括：

在所述透明导电层光刻形成电子传输层；

在所述电子传输层光刻形成红色量子点层；

在所述红色量子点层蒸镀沉积有机空穴传输层。

11.根据权利要求10所述的制备方法，其特征在于，所述在所述绿色像素区域采用光刻的方式制备出所述绿色QLED器件，包括：

在所述透明导电层光刻形成电子传输层；

在所述电子传输层光刻形成绿色量子点层；

在所述绿色量子点层蒸镀沉积有机空穴传输层。