[发明专利]一种上下耦合宽带宽可调带通滤波器

说明书

本发明涉及射频微波技术领域，具体涉及是一种上下耦合宽带宽可调带通滤波器，包括滤波器本体，滤波器本体内设置有滤波器工作部，其中滤波器工作部内设置有至少一个谐振腔，谐振腔中用于接收微波信号的谐振腔和用于输出微波信号的谐振腔分别位于滤波器工作部内的两侧，其余谐振腔位于以上两个谐振腔之间；每个谐振腔内均设置有YIG薄膜结构，YIG薄膜结构正面设置有正面耦合带线组，YIG薄膜结构背面设置有背面耦合带线组，YIG薄膜结构包括YIG薄膜和基片，通过在基板上设置正面耦合带线组和背面耦合带线组，形成带线上下耦合型结构，进一步提升了滤波器的输入输出端之间的隔离度，增加了滤波器的带外抑制。

技术领域

本发明涉及射频微波技术领域，具体涉及是一种上下耦合宽带宽可调带通滤波器。

背景技术

YTF是基于YIG旋磁材料的可调谐器件，由YIG谐振电路以及磁路构成，其特点是窄带宽，高带外抑制，可电调谐。其工作原理是由YIG材料构成的谐振电路在外加磁场的激励下，产生谐振频率，从而实现该频点的滤波功能，通过改变磁场强度来改变谐振器的谐振频率，实现调谐功能。

从二十世纪六十年代至今，国外对 YTF工作原理、微波电路设计、磁路设计、耦合设计、YIG 材料配方、制作工艺等进行了深入的研究。同时以美国为代表的西方国家在这个技术领域开展了大量的研究工作，并且已经形成了系列化产品广泛应用于军事电子装备如EW 的侦察接收、ECM 和 ECCM等系统中，其YTF技术已达到了一个相当高的水平。美国已相继研制出从 L 波段到 K 波段的一系列旋磁滤波器，并已广泛应用于军事装备系统与高端测量仪器中。在这个研究领域，目前已有Watkins-Johnson 公司、Avantek公司、Ferretec公司、Micro Lambda 公司、OmniYIG公司等数家公司从事这方面的研究、开发和生产。

如公开号为CN103346752A的中国专利公开了一种实时修正YIG调谐滤波器扫描调谐非线性的装置，其中使用的YIG调谐滤波器采用的YIG小球作为谐振子，同时目前绝大部分YTF都是采用YIG小球作为谐振子，耦合结构采用耦合环方式，YIG 小球谐振子是通过YIG单晶生长、定向切割、机械化学磨抛工艺制作。由于YIG小球加工和装配工艺复杂，对装配误差要求苛刻，控制不当会造成YTF性能的恶化。并且YIG小球需要手动调节其晶向，以达到最好的微波性能和温度稳定性，但是在实际调试中，YIG小球晶向定向相当困难，不易把握。

发明内容

本发明针对以上问题，提供一种上下耦合宽带宽可调带通滤波器。

采用的技术方案是，一种上下耦合宽带宽可调带通滤波器，包括滤波器本体，所述滤波器本体内设置有滤波器工作部，其中所述滤波器工作部内设置有至少一个谐振腔，且每个谐振腔内设置有YIG薄膜层；所述YIG薄膜层上方设置有正面耦合带线组，YIG薄膜层下方设置有背面耦合带线组；所述YIG薄膜层包括多个YIG薄膜结构，且用于接收输入微波信号的YIG薄膜结构与用于输出微波信号的YIG薄膜结构间设置有隔板，YIG薄膜结构包括YIG薄膜。

进一步的，谐振腔内还设置有基板， YIG薄膜层设于基板正面，YIG薄膜层包括第一YIG薄膜结构、第二YIG薄膜结构、第三YIG薄膜结构和第四YIG薄膜结构，第一YIG薄膜结构为用于接收输入微波信号的YIG薄膜结构，第四YIG薄膜结构为用于输出微波信号的YIG薄膜结构，且第一YIG薄膜结构与第四YIG薄膜结构间设置有隔板。

进一步的，第一YIG薄膜结构和第四YIG薄膜结构位于谐振腔同一侧。

进一步的，背面耦合带线组包括第一耦合带线和第二耦合带线，且通过电镀的方式设于基板上。

可选的，第一耦合带线位于第一YIG薄膜结构和第二YIG薄膜结构背部，第二耦合带线位于第三YIG薄膜结构和第四YIG薄膜结构的背部。