[发明专利]钙钛矿电池及制备方法、太阳电池及制备方法、光伏组件

权利要求书

1.一种钙钛矿电池，其特征在于，所述钙钛矿电池包括：

透明导电基底；

氧化镍空穴传输层，所述氧化镍空穴传输层堆叠于所述透明导电基底，所述氧化镍空穴传输层包括靠近所述透明导电基底设置的镍空位层和背离所述透明导电基底且设于所述镍空位层表面的氧化镍钝化层，所述镍空位层用于提供自由电荷，所述氧化镍钝化层用于提供低价镍；

钙钛矿层，所述钙钛矿层堆叠于所述氧化镍钝化层背离所述镍空位层的一侧；

电子传输层，所述电子传输层堆叠于所述钙钛矿层背离所述镍空位层的一侧；

以及，

电极，所述电极包括正电极和负电极，所述正电极与所述电子传输层形成欧姆接触，所述负电极与所述透明导电基底形成欧姆接触。

2.根据权利要求1所述的钙钛矿电池，其特征在于，所述氧化镍空穴传输层的厚度为20nm～30nm，所述镍空位层的厚度为18nm～27nm，所述氧化镍钝化层的厚度为2nm～3nm。

3.根据权利要求1所述的钙钛矿电池，其特征在于，所述钙钛矿电池还包括缓冲层，所述缓冲层堆叠于所述电子传输层背离所述镍空位层的一侧，所述缓冲层为二氧化锡缓冲层；和/或，

所述缓冲层的厚度为10nm～30nm。

4.根据权利要求1所述的钙钛矿电池，其特征在于，所述电子传输层为C₆₀电子传输层、C₆₀衍生物电子传输层、有机小分子电子传输层以及聚合物电子传输层的任一种；和/或，

所述电子传输层的厚度为10nm～30nm。

5.根据权利要求1-4任一项所述的钙钛矿电池，其特征在于，所述透明导电基底为铟锌氧化物层或掺锡氧化铟层；和/或，

所述透明导电基底的厚度为80nm～120nm。

6.一种如权利要求1-5任一项所述的钙钛矿电池的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：

提供所述透明导电基底；

在所述透明导电基底上进行磁控溅射镀膜依次形成所述镍空位层和所述氧化镍钝化层；

在所述氧化镍钝化层上制备所述钙钛矿层；

在所述钙钛矿层上制备所述电子传输层；

进行后处理得到所述钙钛矿电池。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，在所述透明导电基底上进行磁控溅射镀膜依次形成所述镍空位层和所述氧化镍钝化层的步骤中，使用纯度为98％～99.99％的氧化镍陶瓷靶，磁控溅射镀膜的射频电源功率为200W～1000W之间，使用氩气流量为600sccm～800sccm，压强为0.48Pa～0.55Pa，镀膜传动速率为7mm/s～10mm/s；

形成所述镍空位层时，氧气流量为4sccm～6sccm，镀膜传动次数为8～10次；

形成所述氧化镍钝化层时，氧气流量为0sccm，镀膜传动次数为1～2次。

8.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，在所述氧化镍钝化层上制备所述钙钛矿层的步骤中，使用碘化铅和溴化铯共蒸并旋涂碘甲脒、溴甲胺和氯甲胺溶液制备所述钙钛矿层，所述碘甲脒、所述溴甲胺和所述氯甲胺质量比为35:7:4。