[发明专利]CZT偏压测试系统及其测试方法、控制装置和存储介质在审
| 申请号: | 202310217052.3 | 申请日: | 2023-03-08 |
| 公开(公告)号: | CN116068608A | 公开(公告)日: | 2023-05-05 |
| 发明(设计)人: | 辛元娟;郝树财;韦浩;张保强;王欢;李建;介万奇;席守智 | 申请(专利权)人: | 陕西迪泰克新材料有限公司 |
| 主分类号: | G01T7/00 | 分类号: | G01T7/00;G01R31/26 |
| 代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 沈军 |
| 地址: | 712000 陕西省西安市西咸新*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | czt 偏压 测试 系统 及其 方法 控制 装置 存储 介质 | ||
1.一种CZT偏压测试系统的测试方法,其特征在于,CZT偏压测试系统包括用以产生电压的高压生成电路以及用以收集信号的信号采集电路;
所述CZT偏压测试系统的测试方法包括以下步骤:
控制所述高压生成电路向测试CZT晶体上施加多个第一电压;
获取所述信号采集电路识别的每一所述第一电压对应的第一信号计数率;
根据多个所述第一信号计数率之间的第一变化率,获取所述测试CZT晶体的最佳偏压。
2.根据权利要求1所述的CZT偏压测试系统的测试方法,其特征在于,控制所述高压生成电路向测试CZT晶体上施加多个第一电压的步骤包括:
根据第一步进电压值,依次施加多个所述第一电压。
3.根据权利要求2所述的CZT偏压测试系统的测试方法,其特征在于,根据第一步进电压值,依次施加多个所述第一电压的步骤包括:
根据所述第一步进电压值,依次施加步进增大的多个所述第一电压。
4.根据权利要求2所述的CZT偏压测试系统的测试方法,其特征在于,根据多个所述第一信号计数率之间的第一变化率,获取所述测试CZT晶体的最佳偏压的步骤包括:
获取小于预设变化率的所述第一变化率对应的多个所述第一信号计数率;
根据多个所述第一信号计数率获取对应的多个所述第一电压;
获取多个所述第一电压所处的电压区间,在对应的所述电压区间内获取所述最佳偏压。
5.根据权利要求4所述的CZT偏压测试系统的测试方法,其特征在于,在对应的电压区间内获取所述最佳偏压的步骤包括:
在所述电压区间内,以第二步进电压值依次施加多个第二电压;
获取多个所述第二电压对应的第二信号计数率;
根据多个所述第二信号计数率,获取所述最佳偏压;
其中,所述第二步进电压值小于所述第一步进电压值。
6.根据权利要求5所述的CZT偏压测试系统的测试方法,其特征在于,根据多个所述第二信号计数率,获取所述最佳偏压的步骤包括:
获取多个相邻的所述第二信号计数率之间的第二变化率;
获取所述第二变化率最小的两个所述第二信号计数率对应的第二电压;
将两个所述第二电压作为所述最佳偏压。
7.一种控制装置,其特征在于,包括存储器、处理器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的CZT偏压测试系统的测试程序,所述CZT偏压测试系统的测试程序配置为实现根据权利要求1至6中任一项所述的CZT偏压测试系统的测试方法。
8.一种非暂态计算机可读存储介质,其上存储有计算机程序,其特征在于,所述计算机程序被处理器执行时实现根据权利要求1至6任一项所述的CZT偏压测试系统的测试方法。
9.一种测试系统,其特征在于,包括:
高压生成电路,用以向CZT晶体上施加电压;
信号采集电路,用以采集所述CZT晶体上的信号计数率;
放射源,用以在所述CZT晶体上形成辐射;以及,
控制装置,为根据权利要求7所述的控制装置,所述控制装置与所述高压生成电路以及所述信号采集电路电性连接。
10.根据权利要求9所述的测试系统,其特征在于,所述信号采集电路包括信号计数器。
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