[发明专利]防止负极片析锂短路的多极耳结构设计方法及卷芯

权利要求书

1.一种防止负极片析锂短路的多极耳结构设计方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1：获取预设的每个负极耳在负极片的位置；

步骤2：根据卷针直径、隔膜厚度、正极片的厚度及负极片的厚度分别计算出所述正极片与所述负极片在卷绕时每一圈的长度；

步骤3：根据所述负极耳的位置，计算出每个所述负极耳在卷芯中对应的圈数和位置；

步骤4：根据圈数和位置依次确定每个所述负极耳在所述正极片对应的两个N区位置；其中，所述N区位置设于所述正极片靠近所述负极耳的一侧，且每个所述N区位置自所述正极片裁切出贴片；两个所述N区位置的所述贴片分别贴附于对应的所述负极耳的两侧；

步骤5：在每个所述贴片上均贴上绝缘胶纸。

2.如权利要求1所述的防止负极片析锂短路的多极耳结构设计方法，其特征在于，所述负极耳的数量为四个，相间隔设置并分布于所述负极片的同一侧；所述N区位置的数量则为八个，且对应的所述贴片分布于所述正极片的同一侧。

3.如权利要求1所述的防止负极片析锂短路的多极耳结构设计方法，其特征在于，在步骤2中：

定义卷针直径为a、隔膜厚度为b、正极片的厚度为c、负极片的厚度为d，且卷绕时隔膜预卷2圈，负极片预卷1.2圈，则：

R₁＝a+4*b+1.2*d，Rn＝R₁+(n-1)(2*b+d+c)；

C₁＝2πR₁，Cn＝2πRn；

R`<sub>1</sub>＝a+4*b，R`n＝R`₁+(n-1)(2*b+d+c)；

C`<sub>1</sub>＝2πR<sub>1</sub>，C`n＝2πRn；

其中，R₁为第一圈正极片的半径，C₁为第一圈正极片的长度，n为对应的圈数，Rn为第n圈正极片的半径，Cn为第n圈正极片的长度；R`<sub>1</sub>为第一圈负极片的半径；C`₁为第一圈负极片的长度；n为对应的圈数，R`n为第n圈负极片的半径，C`n为第n圈负极片的长度。

4.如权利要求3所述的防止负极片析锂短路的多极耳结构设计方法，其特征在于，在步骤3中：

Sn＝C₁+C₂+....Cn＝2π(R₁+R₂+....Rn)＝n*2π[a+(n+1)b+(n+1)c+(n+1)d]；

S`n＝C`₁+C`<sub>2</sub>+....C`n＝2π(R`<sub>1</sub>+R`₂+...R`n)＝n*2π[a+(n+1)b+(n-1)c+(n+1)d]；

其中，Sn为正极片的周长之和，S`n为负极片的周长之和。

5.如权利要求4所述的防止负极片析锂短路的多极耳结构设计方法，其特征在于，在步骤4中，包括：

根据每个所述负极耳在负极片中沿长度方向的位置计算得到在卷芯中的圈数以及相对于预设的卷芯中心线的偏移距离；

根据所述圈数确定所述负极耳在所述正极片中的两个相邻圈数，然后将所述两个相邻圈数加上所述偏移距离得到对应的两个N区位置在卷芯中的位置；

根据所述两个N区位置在卷芯中的位置计算得到每个N区位置在所述正极片沿长度方向的位置。

6.如权利要求1所述的防止负极片析锂短路的多极耳结构设计方法，其特征在于，所述贴片的宽度大于所述负极耳的宽度。

7.如权利要求6所述的防止负极片析锂短路的多极耳结构设计方法，其特征在于，所述贴片比所述负极耳的宽度多出1mm-2mm。

8.如权利要求1所述的防止负极片析锂短路的多极耳结构设计方法，其特征在于，所述绝缘胶纸为PI胶纸。

9.一种防止负极片析锂短路的多极耳卷芯，其特征在于，通过由权利要求1-8任一项所述的防止负极片析锂短路的多极耳结构设计方法制备而成。