[发明专利]半导体器件及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

半导体纳米结构的堆叠件；

栅极结构，包裹所述半导体纳米结构；

源极/漏极区域，邻接所述栅极结构和所述堆叠件；

接触结构，位于所述源极/漏极区域上；

背侧介电层，位于所述堆叠件下方；以及

通孔结构，从所述接触结构延伸至所述背侧介电层的顶面。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述通孔结构的上表面的第一部分与所述接触结构接触，并且所述上表面的第二部分与隔离层接触。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述通孔结构的所述整个上表面与所述接触结构接触。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述通孔结构的侧壁的部分与所述接触结构接触。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述通孔结构通过隔离层与所述源极/漏极区域横向分隔开。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：半导体鳍，位于所述堆叠件和所述背侧介电层之间。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述通孔结构具有随着靠近所述背侧介电层而增加的宽度。

8.一种形成半导体器件的方法，包括：

在衬底上方形成纳米结构沟道垂直堆叠件；

形成邻接所述纳米结构沟道的源极/漏极区域；

形成包裹所述纳米结构沟道的栅极结构；

形成与所述源极/漏极区域相邻并且与所述源极/漏极区域横向隔离的通孔结构；

形成与所述通孔结构和所述源极/漏极区域接触的接触结构；以及

形成与所述通孔结构接触的背侧互连结构。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述形成通孔结构包括：

形成去除所述栅极结构的部分的第一开口；

在所述第一开口中形成介电插塞；

通过去除所述介电插塞的至少部分形成暴露所述衬底的第二开口；以及

在所述第二开口中形成所述通孔结构。

10.一种形成半导体器件的方法，包括：

在衬底上方形成纳米结构沟道垂直堆叠件；

形成邻接所述纳米结构沟道的源极/漏极区域；

形成包裹所述纳米结构沟道的栅极结构；

形成将所述栅极结构的部分彼此隔离的栅极隔离结构；

形成具有与所述源极/漏极区域和所述栅极隔离结构接触的下侧的接触结构；

通过去除所述衬底来暴露所述栅极隔离结构；

在所述栅极隔离结构中形成开口，所述开口暴露所述接触结构的所述下侧；以及

在所述开口中形成通孔结构，所述通孔结构与所述接触结构接触。