[发明专利]一种辐射特性数字调控的天线在审
申请号: | 202310202067.2 | 申请日: | 2023-03-03 |
公开(公告)号: | CN115995686A | 公开(公告)日: | 2023-04-21 |
发明(设计)人: | 董元旦;王崭;韩诗琦;柳嵩 | 申请(专利权)人: | 成都频岢微电子有限公司 |
主分类号: | H01Q3/30 | 分类号: | H01Q3/30;H01Q1/38;H01Q1/50;H01Q13/08;H01Q15/00;H01Q15/24 |
代理公司: | 西安正华恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 61271 | 代理人: | 傅晓 |
地址: | 611730 四川省成都市郫都*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 辐射 特性 数字 调控 天线 | ||
1.一种辐射特性数字调控的天线,其特征在于,包括电磁超表面(1)、金属地板(10)和F4BM介质基板(11),所述金属地板(10)设置在F4BM介质基板(11)上表面,且通过尼龙螺钉(12)与电磁超表面(1)固定连接,所述F4BM介质基板(11)的下表面印刷有馈电网络,所述馈电网络包括馈电微带线(8),所述馈电微带线(8)的支路连接有数字相位控制移相器(4),所述数字相位控制移相器(4)和馈电微带线(8)之间设置有数字相位直流偏置电路(5),所述金属地板(10)上刻蚀有数字极化双槽馈电结构(6),所述数字极化双槽馈电结构(6)和馈电网络之间设置有数字极化控制电路(7),所述F4BM介质基板(11)的下表面还印刷有PIN二极管直流偏置电路(9),所述PIN二极管直流偏置电路(9)分别与数字相位直流偏置电路(5)和数字极化控制电路(7)连接。
2.根据权利要求1所述的辐射特性数字调控的天线,其特征在于,所述电磁超表面(1)包括介质谐振器(3)以及附在介质谐振器(3)上表面的环形金属贴片(2),所述环形金属贴片(2)采用多缝隙结构,所述介质谐振器(3)采用介质陶瓷材料。
3.根据权利要求1所述的辐射特性数字调控的天线,其特征在于,所述数字相位控制移相器(4)为半波长相位延迟微带线。
4.根据权利要求3所述的辐射特性数字调控的天线,其特征在于,所述数字相位直流偏置电路(5)包括PIN二极管P1和PIN二极管P2,所述PIN二极管P1设置于馈电微带线(8)上,所述PIN二极管P2设置在半波长相位延迟微带线和馈电微带线(8)之间。
5.根据权利要求4所述的辐射特性数字调控的天线,其特征在于,所述数字极化双槽馈电结构(6)包括相互垂直相交的第一缝隙(15)和第二缝隙(16),所述第一缝隙(15)和第二缝隙(16)的交点将第一缝隙(15)分为第一长缝隙和第一短缝隙,将第二缝隙(16)分为第二长缝隙和第二短缝隙。
6.根据权利要求5所述的辐射特性数字调控的天线,其特征在于,所述数字极化控制电路(7)包括PIN二极管C1、PIN二极管C2、PIN二极管L11、PIN二极管L12、PIN二极管L21和PIN二极管L22,所述PIN二极管C1和PIN二极管L11均设置于第一长缝隙上,所述PIN二极管L12设置于第一短缝隙上,所述PIN二极管C2和PIN二极管L21设置于第二长缝隙上,所述PIN二极管L22设置于第二短缝隙上。
7.根据权利要求6所述的辐射特性数字调控的天线,其特征在于,所述PIN二极管直流偏置电路(9)包括8条直流控制线,所述8条直流控制线与PIN二极管P1、PIN二极管P2、PIN二极管C1、PIN二极管C2、PIN二极管L11、PIN二极管L12、PIN二极管L21和PIN二极管L22一一对应连接。
8.根据权利要求1所述的辐射特性数字调控的天线,其特征在于,所述金属地板(10)为双面敷铜板。
9.根据权利要求1所述的辐射特性数字调控的天线,其特征在于,所述F4BM介质基板(11)的介电常数为2.2,损耗角正切为0.001。
10.根据权利要求1-9任一所述的辐射特性数字调控的天线,其特征在于,将所述辐射特性数字调控的天线作为一个天线阵元(14),多个天线阵元(14)可排列组成天线阵列,所述天线阵列的阵元间距设置为0.5λ0,λ0为天线阵元(14)的中心频率处的自由空间波长,所述天线阵元(14)的金属地板(10)的上表面均布设有铝板(13)。
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