[发明专利]一种闪存的擦写掉电数据保护方法及装置

说明书

本发明公开了一种闪存的擦写掉电数据保护方法及装置，该方法包括：电压监测模块监测闪存的第一电压，电压监测模块确定第一电压是否小于预设电压阈值，当第一电压小于预设电压阈值时，电压监测模块将第一中断信号发送到主控模块，主控模块响应于第一中断信号，对闪存执行数据保护操作。可见，实施本发明能够在对闪存擦写过程中闪存异常掉电时，对闪存非擦写区域的数据进行保护的同时，可兼容更多的闪存型号，降低闪存非擦写区域数据被窜改的风险，降低对闪存自身的写保护功能要求，且通过中断的方式通知主控模块，提高了响应速度，进而提高了主控模块对闪存执行数据保护操作的精准性和效率。

技术领域

本发明涉及存储芯片技术领域，尤其涉及一种闪存的擦写掉电数据保护方法及装置。

背景技术

目前，闪存芯片主要分为NOR闪存和NAND闪存，而由于NOR闪存支持芯片内执行功能，也即代码可以直接在NOR闪存上执行，无需拷贝到内存中执行，因此，NOR闪存被广泛搭载于嵌入式设备中，但是，实际应用中，在对NOR闪存进行擦写操作的过程中发生异常掉电时，闪存中的非目标擦写区域中存储的数据存在被篡改的风险。

目前，针对上述问题的解决方案主要是通过使用闪存自带的写保护功能，将闪存中用于存储固件代码的区域设置为保护区域来实现，这种方法的通用性较低，且需要依赖于闪存的写保护功能，适用范围较小。因此，提出一种能够不依赖于闪存的写保护功能，且在闪存芯片掉电时，有效保护闪存芯片中存储的数据的方法显得尤为重要。

发明内容

本发明提供了一种闪存的擦写掉电数据保护方法及装置，能够有利于降低对闪存自身的写保护功能的要求，可兼容更多型号的闪存，提高了对闪存掉电的响应速度，对读取到的电压进行过滤处理，减少了电压偶然性抖动导致误判的情况，提高了对闪存执行数据保护操作的准确性和可靠性，进而提高了主控模块对闪存执行数据保护操作的效率。

为了解决上述技术问题，本发明第一方面公开了一种闪存的擦写掉电数据保护方法，所述方法应用于闪存的擦写掉电数据保护装置中，所述数据保护装置包括电压监测模块和主控模块，所述方法包括：

所述电压监测模块监测闪存的第一电压，并确定所述第一电压是否小于预设电压阈值，所述预设电压阈值大于或等于最低电压，所述最低电压为保证所述闪存正常工作所需要的电压；

当所述第一电压小于所述预设电压阈值时，所述电压监测模块将第一中断信号发送到所述主控模块；

所述主控模块响应于所述第一中断信号，对所述闪存执行数据保护操作。

作为一种可选的实施方式，在本发明第一方面中，在所述电压监测模块监测所述闪存的第一电压之后，所述方法还包括：

所述电压监测模块将监测得到的所有所述第一电压进行存储；

所述主控模块响应于所述第一中断信号，对所述闪存执行数据保护操作，包括：

所述主控模块响应于所述第一中断信号，读取所述电压监测模块存储的所有所述第一电压，并对所有所述第一电压进行过滤处理，得到所有所述第一电压对应的第一过滤电压；

当所述第一过滤电压小于所述预设电压阈值时，所述主控模块执行所述的对所述闪存执行数据保护操作。

作为一种可选的实施方式，在本发明第一方面中，所述主控模块对所述闪存执行数据保护操作，包括：

所述主控模块判断所述闪存的HOLD引脚是否被复用；

当所述主控模块判断出所述闪存的HOLD引脚被复用时，所述主控模块将所述闪存的CS片选引脚和HOLD引脚拉低，以将所述闪存的状态设置为暂停状态；

当所述主控模块判断出所述闪存的HOLD引脚没有被复用时，所述主控模块将所述闪存的CS片选引脚拉高，停止对所述闪存的擦/写操作。