[发明专利]半导体微声器件制作方法、装置和半导体微声器件

说明书

本申请涉及半导体器件领域，提供一种半导体微声器件制作方法、装置和半导体微声器件，所述方法包括：根据微声基片欧拉角的自转角变化引发第一模式的激发强度在第一范围内的变化，确定所述微声基片的第一自转角；根据微声基片欧拉角的进动角变化引发第一模式的激发强度在第二范围内的变化，确定所述微声基片的第一进动角；根据第一自转角和第一进动角确定最佳欧拉角，并根据最佳欧拉角制作微声基片，采用半导体工艺制作金属叉指电极，得到半导体微声器件。本申请实施例提供的半导体微声器件制作方法、装置和半导体微声器件可以达到较好的第一模式抑制效果，提高半导体微声器件的低频段性能，从而进一步提高半导体微声器件的整体性能。

技术领域

本申请涉及半导体器件技术领域，具体涉及一种半导体微声器件制作方法、装置和半导体微声器件。

背景技术

半导体微声器件采用半导体工艺制作，可用于信号处理，对传输的有用信号进行提取，同时抑制干扰信号，去除邻近信号的串扰，提升整机的信噪比。

在第一模式下，波的传播速度大约为2300米/秒至3900米/秒；在第二模式下，波的传播速度大约为4100米/秒至4300米/秒；而在第三模式下，波的传播速度可达6100米/秒，波在第三模式下的传播速度可达到第二模式下的1.5倍左右，在同等的半导体工艺条件下，可以制作频率更高的半导体微声器件；在相同电性能要求下，利用第三模式对应的结构制作半导体微声器件，可以有效降低制作半导体微声器件的薄膜制备工艺和光刻工艺的难度。

但利用第三模式下对应的结构制作的半导体微声器件通常会在低频段同时激发出第一模式，由于第一模式的存在，半导体微声器件的低频段性能会变差，影响半导体微声器件的整体性能。

发明内容

本申请实施例提供一种半导体微声器件制作方法、装置和半导体微声器件，用以解决利用第三模式下对应的结构制作的器件通常会在低频段同时激发出第一模式，由于第一模式的存在，半导体微声器件的低频段性能会变差，影响半导体微声器件的整体性能的技术问题。

第一方面，本申请实施例提供一种半导体微声器件制作方法，包括：

根据微声基片欧拉角的自转角变化引发第一模式的激发强度在第一范围内的变化，确定所述微声基片的第一自转角；所述第一自转角为第一模式的激发强度在所述第一范围内取最小值时对应的自转角；

根据微声基片欧拉角的进动角变化引发第一模式的激发强度在第二范围内的变化，确定所述微声基片的第一进动角；所述第一进动角为第一模式的激发强度在所述第二范围内取最小值时对应的进动角；

根据所述第一自转角和所述第一进动角确定最佳欧拉角，并根据所述最佳欧拉角制作微声基片，采用半导体工艺制作金属叉指电极，得到半导体微声器件；

所述第一模式，是波速为2300米/秒至3900米/秒的模式。

在一个实施例中，所述根据微声基片欧拉角的自转角变化引发第一模式的激发强度在第一范围内的变化，确定所述微声基片的第一自转角，包括：

保持微声基片欧拉角的章动角为0度，进动角为90度，根据自转角在0度到180度之间的变化引发第一模式的激发强度在第一范围内的变化，确定所述微声基片的第一自转角。

在一个实施例中，所述根据微声基片欧拉角的进动角变化引发第一模式的激发强度在第二范围内的变化，确定所述微声基片的第一进动角，包括：

保持微声基片欧拉角的章动角为0度，自转角为90度，根据进动角在0度到180度之间的变化引发第一模式的激发强度在第二范围内的变化，确定所述微声基片的第一进动角。

在一个实施例中，所述根据所述第一自转角和所述第一进动角确定最佳欧拉角，包括：