[发明专利]集成电路和形成集成电路的方法

权利要求书

1.一种集成电路，包括：

第一晶体管，所述第一晶体管包括：

第一半导体纳米结构，对应于所述第一晶体管的沟道区域；以及

第一栅极金属，围绕所述第一半导体纳米结构；

第二晶体管，所述第二晶体管包括：

第二半导体纳米结构，位于所述第一半导体纳米结构之上并且对应于所述第二晶体管的沟道区域；以及

第二栅极金属，围绕所述第二半导体纳米结构；

介电层，位于所述第一半导体纳米结构和所述第二半导体纳米结构之间，其中，所述第一栅极金属在低于所述介电层的顶表面的高度处接触所述第二栅极金属。

2.根据权利要求1所述的集成电路，包括位于所述第一半导体纳米结构和所述第二半导体纳米结构之间的隔离结构，并且所述隔离结构包括：

所述介电层；

第一半导体层，位于所述介电层之上并且与所述介电层接触；以及

第二半导体层，位于所述介电层之下并且与所述介电层接触。

3.根据权利要求2所述的集成电路，其中，所述第一半导体层和所述第二半导体层各自所具有的垂直厚度小于所述第一半导体纳米结构的垂直厚度。

4.根据权利要求2所述的集成电路，包括布置在所述第一半导体纳米结构、所述第二半导体纳米结构和所述隔离结构上的栅极介电层。

5.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述介电层所具有的垂直厚度大于所述第一半导体纳米结构的垂直厚度。

6.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述介电层具有凹陷的侧壁。

7.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述介电层包括：

第一介电子层；

第二介电子层，位于所述第一介电子层上并且具有与所述第一介电子层不同的材料；以及

第三介电子层，位于所述第二介电子层上并且具有与所述第一介电子层相同的材料。

8.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述第一栅极金属和所述第二栅极金属的接触高度高于所述介电层的底表面。

9.一种形成集成电路的方法，包括：

形成对应于第一晶体管的沟道区域的第一半导体纳米结构；

在所述第一半导体纳米结构之上形成第一牺牲半导体纳米结构；

在所述第一牺牲半导体纳米结构之上形成第二半导体纳米结构，并且所述第二半导体纳米结构对应于第二晶体管的沟道区域；

用介电层替换所述第一牺牲半导体纳米结构；

形成围绕所述第一半导体纳米结构的第一栅极金属；以及

形成围绕所述第二半导体纳米结构的第二栅极金属，并且所述第二栅极金属从所述介电层横向的位置处接触所述第一栅极金属。

10.一种集成电路，包括：

互补场效应晶体管，所述互补场效应晶体管包括：

第一晶体管，具有对应于所述第一晶体管的沟道区域的第一半导体纳米结构；

第二晶体管，具有位于所述第一半导体纳米结构之上并且对应于所述第二晶体管的沟道区域的第二半导体纳米结构；以及

隔离结构，包括位于所述第一半导体纳米结构和所述第二半导体纳米结构之间的介电层。