[发明专利]一种NANDFlash控制器空页测试方法的验证方法在审

专利信息
申请号: 202310184178.5 申请日: 2023-03-01
公开(公告)号: CN116185701A 公开(公告)日: 2023-05-30
发明(设计)人: 赵莎莎;王璞;杨雪;唐汉钊 申请(专利权)人: 山东华芯半导体有限公司
主分类号: G06F11/10 分类号: G06F11/10;G11C29/42
代理公司: 济南泉城专利商标事务所 37218 代理人: 赵玉凤
地址: 250101 山东省济南市高新*** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: 一种 nandflash 控制器 测试 方法 验证
【权利要求书】:

1.一种NANDFlash控制器空页测试方法的验证方法,其特征在于:包括以下步骤:

S01)、数据准备,信息初始化并构造不同的空页场景;

S02)、读命令发送,根据数据准备,发送不同模式的读命令;

S03)、结果返回,根据发送的读命令,返回是否读到空页以及空页数,返回的数据称为测试结果;

S04)、数据处理分析,将测试结果与预期结果进行比较分析,比较测试结果与预期结果是否一致,如果一致,则空页测试方法正确,否则不正确。

2.根据权利要求1所述的NANDFlash控制器空页测试方法的验证方法,其特征在于:通过擦除、写数据、不同模式读操作构造不同的空页场景。

3.根据权利要求1或2所述的NANDFlash控制器空页测试方法的验证方法,其特征在于:空页场景包括擦除后不写入数据直接读取、写入数据的block与读取数据block不一致、读写闪存类型不同、数据写入读取正确。

4.根据权利要求3所述的NANDFlash控制器空页测试方法的验证方法,其特征在于:擦除后不写入数据直接读取的验证过程为:从起始block序列号开始,对于每一轮操作,先往NANDFlash控制器发送单条擦操作,完成擦操作后,再发送single plane读操作,当起止block擦除完毕,再进行multi-plane读操作,对于每次读操作,都设置读出的空页预期值,并封装空页判断接口,空页判断接口判断读操作实际读出的空页;

本空页场景下,预期结果的设置方式为:如果操作两个block块,single plane读,当此次操作的block号为偶数时,空页预期值设置为1,当操作的block号为奇数时,空页预期值设置为2;multi-plane读,空页预期值设置为3。

5.根据权利要求3所述的NANDFlash控制器空页测试方法的验证方法,其特征在于:写入数据的block与读取数据block不一致的验证过程为:选择擦除的block号为偶数的块,写入数据,并对此块以及此块号+1的块分别进行不同模式的读操作,校验空页读取个数;

本空页场景下,预期结果的设置方式为:single plane读时,若此次操作的block为偶数时,空页预期值设置为0,若操作的block为奇数时,空页预期值为2;multi-plane 读,空页预期值设置为2。

6.根据权利要求3所述的NANDFlash控制器空页测试方法的验证方法,其特征在于:读写闪存类型不同的验证过程为:选择与写入数据不同的闪存类型,对此块进行读操作,NANDFlash控制器返回命令执行失败,出现LDPC校验错误现象,如果空页数为0,验证不是空页引起的LDPC数据校验错误,如果空页数大于或者等于1,则是空页引起的LDPC数据校验错误。

7.根据权利要求3所述的NANDFlash控制器空页测试方法的验证方法,其特征在于:数据写入读取正确的验证过程包括:1、擦除block号为偶数的block块,写数据到block号+1的块,并对这两个块分别进行single plane读操作,再multi-plane读,校验空页读取个数,single plane读时,若此次操作的block为偶数时,空页预期值设置为1,若操作的block为奇数时,空页预期值为0;multi-plane 读,空页预期值设置为1;2、写数据到block号为偶数的block块,multi-plane读,校验空页读取个数,空页预期值设置为0。

8.根据权利要求1所述的所述的NANDFlash控制器空页测试方法的验证方法,其特征在于:初始化信息包括nand存储组织结构信息,确定操作的channel、chip、lun、block号、传输大小以及传输方式。

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