[发明专利]一种NANDFlash控制器空页测试方法的验证方法在审
申请号: | 202310184178.5 | 申请日: | 2023-03-01 |
公开(公告)号: | CN116185701A | 公开(公告)日: | 2023-05-30 |
发明(设计)人: | 赵莎莎;王璞;杨雪;唐汉钊 | 申请(专利权)人: | 山东华芯半导体有限公司 |
主分类号: | G06F11/10 | 分类号: | G06F11/10;G11C29/42 |
代理公司: | 济南泉城专利商标事务所 37218 | 代理人: | 赵玉凤 |
地址: | 250101 山东省济南市高新*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 nandflash 控制器 测试 方法 验证 | ||
1.一种NANDFlash控制器空页测试方法的验证方法,其特征在于:包括以下步骤:
S01)、数据准备,信息初始化并构造不同的空页场景;
S02)、读命令发送,根据数据准备,发送不同模式的读命令;
S03)、结果返回,根据发送的读命令,返回是否读到空页以及空页数,返回的数据称为测试结果;
S04)、数据处理分析,将测试结果与预期结果进行比较分析,比较测试结果与预期结果是否一致,如果一致,则空页测试方法正确,否则不正确。
2.根据权利要求1所述的NANDFlash控制器空页测试方法的验证方法,其特征在于:通过擦除、写数据、不同模式读操作构造不同的空页场景。
3.根据权利要求1或2所述的NANDFlash控制器空页测试方法的验证方法,其特征在于:空页场景包括擦除后不写入数据直接读取、写入数据的block与读取数据block不一致、读写闪存类型不同、数据写入读取正确。
4.根据权利要求3所述的NANDFlash控制器空页测试方法的验证方法,其特征在于:擦除后不写入数据直接读取的验证过程为:从起始block序列号开始,对于每一轮操作,先往NANDFlash控制器发送单条擦操作,完成擦操作后,再发送single plane读操作,当起止block擦除完毕,再进行multi-plane读操作,对于每次读操作,都设置读出的空页预期值,并封装空页判断接口,空页判断接口判断读操作实际读出的空页;
本空页场景下,预期结果的设置方式为:如果操作两个block块,single plane读,当此次操作的block号为偶数时,空页预期值设置为1,当操作的block号为奇数时,空页预期值设置为2;multi-plane读,空页预期值设置为3。
5.根据权利要求3所述的NANDFlash控制器空页测试方法的验证方法,其特征在于:写入数据的block与读取数据block不一致的验证过程为:选择擦除的block号为偶数的块,写入数据,并对此块以及此块号+1的块分别进行不同模式的读操作,校验空页读取个数;
本空页场景下,预期结果的设置方式为:single plane读时,若此次操作的block为偶数时,空页预期值设置为0,若操作的block为奇数时,空页预期值为2;multi-plane 读,空页预期值设置为2。
6.根据权利要求3所述的NANDFlash控制器空页测试方法的验证方法,其特征在于:读写闪存类型不同的验证过程为:选择与写入数据不同的闪存类型,对此块进行读操作,NANDFlash控制器返回命令执行失败,出现LDPC校验错误现象,如果空页数为0,验证不是空页引起的LDPC数据校验错误,如果空页数大于或者等于1,则是空页引起的LDPC数据校验错误。
7.根据权利要求3所述的NANDFlash控制器空页测试方法的验证方法,其特征在于:数据写入读取正确的验证过程包括:1、擦除block号为偶数的block块,写数据到block号+1的块,并对这两个块分别进行single plane读操作,再multi-plane读,校验空页读取个数,single plane读时,若此次操作的block为偶数时,空页预期值设置为1,若操作的block为奇数时,空页预期值为0;multi-plane 读,空页预期值设置为1;2、写数据到block号为偶数的block块,multi-plane读,校验空页读取个数,空页预期值设置为0。
8.根据权利要求1所述的所述的NANDFlash控制器空页测试方法的验证方法,其特征在于:初始化信息包括nand存储组织结构信息,确定操作的channel、chip、lun、block号、传输大小以及传输方式。
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