[发明专利]一种厚金电极与薄金电极结构的制备方法

权利要求书

1.一种厚金电极与薄金电极结构的制备方法，其特征在于：包括

S1：清洗晶圆(100)，在晶圆(100)一侧表面依次制备钛层(110)和金种子层(120)；

S2：在金种子层(120)表面使用光刻胶制备出薄金电极(340)图形掩模，电镀出薄金电极(340)，除去薄金电极(340)图形掩模，清洗得到带有薄金电极(340)的晶圆(100)；

S3：在带有薄金电极(340)的晶圆(100)表面，使用光刻胶进行厚金电镀图形掩模(130)光刻，厚金电镀图形掩模(130)的厚度比厚金电极(330)的厚度高5μm—10μm；

S4：电镀S3得到的具有厚金电镀图形掩模(130)的晶圆(100)，同时旋转晶圆(100)，获得的晶圆(100)附着有厚金电极(330)；

S5：去除S4获得的晶圆(100)上的厚金电镀图形掩模(130)，获得中间产品；

S6：除去中间产品上未覆盖有薄金电极(340)和厚金电极(330)的金种子层(120)和钛层(110)。

2.根据权利要求1所述的一种厚金电极与薄金电极结构的制备方法，其特征在于：所述厚金电极(330)的厚度为35-45μm、高宽比大于3且深宽比大于3；薄金电极(340)的厚度为0.5μm-1.5μm；晶圆(100)为铌酸锂晶圆。

3.根据权利要求1所述的一种厚金电极与薄金电极结构的制备方法，其特征在于：所述步骤S3中，光刻胶为SU8光刻胶；

所述步骤S3中，厚金电镀图形掩模(130)的光刻包括：

S31:采用两步旋涂匀胶法，在晶圆(100)表面的金种子层(120)上均匀涂覆光刻胶；

S32:对表面涂覆光刻胶的晶圆(100)进行前烘，得到光刻胶层；

S33:按照厚金电极(330)图形制作曝光板，将曝光板压在晶圆(100)表面，对光刻胶层进行曝光；

S34:对曝光后的晶圆(100)进行后烘；

S35:对后烘后的晶圆(100)进行显影；

S36:显影后的晶圆(100)进行烘烤；

S37:对烘烤后的晶圆(100)进行表面去胶，得到厚金电镀图形掩模(130)。

4.根据权利要求3所述的一种厚金电极与薄金电极结构的制备方法，其特征在于：所述厚金电镀图形掩模(130)的光刻过程中，温湿度环境参数：温度18℃-24℃，湿度20％-50％。

5.根据权利要求3所述的一种厚金电极与薄金电极结构的制备方法，其特征在于：所述步骤S31中，两步旋涂匀胶法包括：晶圆(100)表面滴光刻胶，200rpm-1000rpm转速旋涂10s-30s，静置1min-15min后，再次1000rpm-3000rpm转速旋涂35s-65s。

6.根据权利要求3所述的一种厚金电极与薄金电极结构的制备方法，其特征在于：所述步骤S32中，前烘后，采用丙酮或者PGMEA溶液减薄晶圆边缘向内5mm-15mm的光刻胶，或者机械磨平晶光刻胶层表面的凸起部分。

7.根据权利要求3所述的一种厚金电极与薄金电极结构的制备方法，其特征在于：所述步骤S32中，前烘参数为：将晶圆(100)放置在热板上，从室温加热到60℃-70℃，恒温保持5min-15min，然后升温90℃-95℃，恒温保温15min-50min，然后关闭热板自然冷却至室温，其中升温速率为5℃/min-10℃/min；

步骤S34中，后烘参数：晶圆(100)放置在热板上，从室温加热至65℃-75℃，恒温保温1min-10min，再次升温到90℃-95℃，恒温保温2min-10min，关闭热板自然降温至室温，其中升温速率为5℃/min-10℃/min；

步骤S35中，显影参数：将后烘后的晶圆(100)放置在PGMEA溶液中，以1s/次的晃动频率，在PGMEA溶液中显影45s-90s；然后使用5m/s-10m/s流速的PGMEA溶液冲洗晶圆(100)表面曝光后的SU8-3025光刻胶。