[发明专利]发光二极管和发光装置在审
| 申请号: | 202310176103.2 | 申请日: | 2023-02-28 | 
| 公开(公告)号: | CN116072787A | 公开(公告)日: | 2023-05-05 | 
| 发明(设计)人: | 吴志伟;王燕云;熊伟平;高迪;郭桓卲;彭钰仁 | 申请(专利权)人: | 天津三安光电有限公司 | 
| 主分类号: | H01L33/38 | 分类号: | H01L33/38;H01L33/22 | 
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 | 
| 地址: | 300384 天津*** | 国省代码: | 天津;12 | 
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 发光二极管 发光 装置 | ||
本发明公开发光二极管,发光二极管包括:半导体外延叠层,至少包含依次叠置的第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层,所述半导体外延叠层形成有第一台面,所述第一台面暴露所述第一导电类型半导体层;第一接触电极,位于所述第一台面上,与所述第一导电类型半导体层电连接;第二接触电极,位于所述第二导电类型半导体层之上,与所述第二导电类型半导体层电连接;第一打线电极和第二打线电极,位于所述第一接触电极和第二接触电极之上;其特征在于:所述第一打线电极和第二打线电极在所述半导体外延叠层上的水平投影落入所述第一接触电极和第二接触电极的水平投影内。本发明可分散打线过程中的冲击力,提升发光二极管的可靠性。
技术领域
本发明涉及一种发光二极管,属于半导体光电子器件与技术领域。
背景技术
发光二极管(Light Emitting Diode,简称LED)具有发光强度大、效率高、体积小、使用寿命长等优点,被认为是当前最具有潜力的光源之一。近年来,LED已在日常生活中得到广泛应用,例如照明、信号显示、背光源、车灯和大屏幕显示等领域,同时这些应用也对LED的亮度、发光效率和可靠性提出了更高的要求。
对于水平结构的发光二极管来说, 打线电极的设计是影响其光学性能及电学性能的重要结构。影响其打线可靠性的因素主要有:1、 打线电极的表面平整度;2、有效分散打线过程中电极的冲击力。影响其光取出效率的因素主要有:1、 用于封装打线电极的遮挡;2、光输出过程中不同折射率材料界面的反射;3、光输出过程中各种材料对光的吸收。
为了解决发光二极管存在的上述问题,提供一种能够有效提高 LED 的打线可靠性同时提高其出光效率的方案实属必要。
发明内容
为了解决上述的问题,提升发光二极管的可靠性和发光效率,本发明提供一种发光二极管,所述发光二极管包括:半导体外延叠层,至少包含依次叠置的第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层,所述半导体外延叠层形成有第一台面,所述第一台面暴露所述第一导电类型半导体层;第一接触电极,位于所述第一台面上,与所述第一导电类型半导体层电连接;第二接触电极,位于所述第二导电类型半导体层之上,与所述第二导电类型半导体层电连接;第一打线电极和第二打线电极,位于所述第一接触电极和第二接触电极之上;其特征在于:所述第一打线电极和第二打线电极在所述半导体外延叠层上的水平投影落入所述第一接触电极和第二接触电极的水平投影内。
在一些可选的实施例中,所述第一打线电极和第二打线电极在所述半导体外延叠层上的水平投影面积小于所述第一接触电极和第二接触电极的水平投影面积。
在一些可选的实施例中,所述第一打线电极和第二打线电极在所述半导体外延叠层上的水平投影面积为所述第一接触电极和第二接触电极的水平投影面积的50%~99%。
在一些可选的实施例中,所述发光二极管还包含绝缘层,所述绝缘层具有第一开口和第二开口,所述第一打线电极和第二打线电极通过所述第一开口和第二开口与所述第一接触电极和第二接触电极电连接。
在一些可选的实施例中,所述第一打线电极和第二打线电极包括Ti、Al、Pt、Au、Ni、Sn、In或它们中的任意组合的合金或它们中的任意组合的叠层。
在一些可选的实施例中,所述第一接触电极和第二接触电极包括Au、Ge、Ni、Zn、Be或它们中的任意组合的合金或它们中的任意组合的叠层。
在一些可选的实施例中,所述第一打线电极和第二打线电极的厚度为1~5μm。
在一些可选的实施例中,所述第一接触电极和第二电极的厚度为0.5~3μm。
在一些可选的实施例中,所述发光二极管还包括第一电极扩展条和第二电极扩展条,位于所述半导体外延叠层之上,所述第一电极扩展条和第二电极扩展条与所述第一接触电极和第二接触电极相连接。
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