[发明专利]一种基于前级预触发的高重频快脉冲产生电路及方法在审
申请号: | 202310175784.0 | 申请日: | 2023-02-27 |
公开(公告)号: | CN116208123A | 公开(公告)日: | 2023-06-02 |
发明(设计)人: | 田爽;张岚琦;谢彦召;仇杨鑫 | 申请(专利权)人: | 西安热工研究院有限公司;西安交通大学;华能集团技术创新中心有限公司 |
主分类号: | H03K3/011 | 分类号: | H03K3/011;H03K3/335;H03K3/57 |
代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人: | 贺小停 |
地址: | 710048 陕*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 前级预 触发 高重频快 脉冲 产生 电路 方法 | ||
本发明公开一种基于前级预触发的高重频快脉冲产生电路及方法,脉冲产生电路包括若干级充电电容组成的Marx电路,各级充电电容间设有功率开关,每级充电电容的回路上设有两组隔离电阻与隔离磁珠,首级为外触发级,功率开关通过外部输入脉冲经触发电路陡化后控制,前级电路为预触发级,中间级为集电极过电压导通级,末级为负载单元。该脉冲产生电路可有效降低前级雪崩三极管的发热现象,提升脉冲源重频上限。
技术领域
本发明属于脉冲发生电路领域,具体涉及一种基于前级预触发的高重频快脉冲产生电路及方法。
背景技术
超宽带电磁环境具有频谱范围宽、脉冲上升时间和持续时间短等特性,在有意电磁干扰研究中,超宽带电磁脉冲易耦合至电子设备,高重频条件下不仅干扰发生概率增大,且通过能量累积可能引起更显著的干扰甚至损伤效应。超宽带电磁辐射源主要由亚纳秒脉冲源、超宽带辐射天线和相关配套设备组成,可向自由空间辐射产生超宽带电磁脉冲,并用于模拟超宽带电磁辐射环境。高重频亚纳秒脉冲源是其核心部件之一,通过功率开关器件对能量进行压缩,产生快前沿、短脉宽、高幅值、高重频脉冲,通过功率合成后由超宽带天线进行辐射。
目前用于超宽带辐射系统的脉冲功率源主要采用雪崩三极管(avalanchebipolar junction transistor,简称ABJT)作为功率开关器件。雪崩三极管具有开关速度快、击穿电压高、通流能力强、导通电阻低等特点,在脉冲功率领域作为开关器件使用时利用其雪崩效应可产生高压短脉冲,脉冲前沿可达百皮秒量级。
Marx电路,也称Marx发生器,是脉冲功率技术中常用的脉冲产生电路用于产生快前沿、高幅值的电脉冲。其基本原理如下:在外部触发信号到来前,雪崩管维持截止状态,通过电阻及电感构成的隔离回路对各级并联电容进行充电,当充电完成后,外部施加触发信号于首级雪崩管,首级雪崩管导通后首级充电电容开始放电形成过电压,第二级雪崩管在该过电压下导通第二级充电电容开始放电,进而形成更高幅值的过电压,依此类推直至最后一级雪崩管导通,在负载上形成高幅值亚纳秒脉冲。对于超宽带辐射系统的脉冲功率源通常要求脉宽在1ns左右,采用欠电荷充电法进行实现。其特点是通过大幅减小级间电容值,使得级间电容储存的电荷仅能维持到下一级或几级雪崩管导通,因此是一种自行截止、弱反射的工作方式;但欠电荷充电法由于级间电容储存电荷降低,导致前级雪崩三极管导通后引起的过电压幅值及陡度不足,前级雪崩三极管导通速度也因此降低,在脉冲形成过程中呈现慢导通状态,其动态电阻增加导致发热增加,尤其在高重频输出模式下发热严重,是限制脉冲源重频提升的重要因素。
发明内容
为解决现有技术存在的问题,本发明提供一种基于前级预触发的高幅值高重频亚纳秒脉冲产生电路及方法,该脉冲产生电路可有效降低前级雪崩三极管的发热现象,提升脉冲源重频上限。
本发明的具体技术方案如下:
一种基于前级预触发的高重频快脉冲产生电路,包括若干级充电电容组成的Marx电路,各级充电电容间设有功率开关,每级充电电容的回路上设有两组隔离电阻与隔离磁珠,首级为外触发级,功率开关通过外部输入脉冲经触发电路陡化后控制,前级电路为预触发级,中间级为集电极过电压导通级,末级为负载单元。
作为本发明的进一步改进,所述Marx电路首端设置与负载单元等值的电阻,末端设置峰化电容。
功率开关采用型号为FMMT417型的雪崩三极管。
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