[发明专利]一种柔性单晶硅片和柔性太阳电池及其制备方法

权利要求书

1.一种柔性单晶硅片的制备方法，包括以下步骤：

(1)将单晶硅片制绒、清洗，在单晶硅片表面和背面制作金字塔减反射结构；

(2)利用等离子体刻蚀对单晶硅片的侧面以及边缘部分的正面和背面的金字塔、菱角、突刺和凹槽的峰和谷进行圆滑处理；

(3)清洗。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中制绒后的单晶硅片厚度在140微米以下。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中利用等离子体刻蚀对单晶硅片的侧面以及边缘部分的正面和背面的金字塔、菱角、突刺和凹槽的峰和谷进行圆滑处理为：把相同尺寸的多个单晶硅片叠加在一起，把硅片放入等离子体刻蚀机的等离子体腔，用夹具固定硅片，利用等离子体对多个硅片的侧面同时刻蚀，使硅片侧面部分的金字塔、菱角、突刺和凹槽的峰和谷变得圆滑。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述相同尺寸的多个单晶硅片在垂直方向对齐，使等离子体对每个硅片侧面以及边缘的正面和背面刻蚀范围的宽度和刻蚀深度均匀。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中等离子体刻蚀采用的等离子体为纯氟化气体或氟化气体混合物，所述纯氟化气体包括四氟化碳CF₄、三氟化氮NF₃、六氟化硫SF₆、六氟乙烷C₂F₆中至少一种气体，所述氟化气体混合物包括四氟化碳CF₄、三氟化氮NF₃、六氟化硫SF₆、六氟乙烷C₂F₆中至少一种氟化气体与氩气、氧气、氮气中至少一种载气的混合气体。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中对单晶硅片的侧面以及边缘部分的正面和背面的金字塔进行圆滑处理，使金字塔谷部的曲率半径达到100纳米以上。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中对单晶硅片的侧面的菱角、突刺和凹槽进行圆滑处理，使棱角、突刺和凹槽的曲率半径大于50纳米；对单晶硅片的边缘区域进行圆滑处理，处理区域到硅片边缘的距离不大于5毫米。

8.一种如权利要求1所述的制备方法制备得到的柔性单晶硅片。

9.一种柔性太阳电池，其特征在于，所述太阳电池包括如权利要求8所述的柔性单晶硅片。

10.根据权利要求9所述的柔性太阳电池，其特征在于，所述柔性太阳电池包括硅异质结太阳电池、隧穿氧化层钝化接触太阳电池或背接触太阳电池。