[发明专利]一种基于等离子体射流阵列的DBC基板表面处理系统及方法

权利要求书

1.一种基于等离子体射流阵列的DBC基板表面处理系统，其特征在于：包括等离子体射流阵列、电源装置和气源装置；所述等离子体射流阵列包括依次布置的三个射流单元；各所述射流单元均与所述气源装置及所述电源装置相连接；

其中，所述气源装置包括分别与三个所述射流单元相连接的惰性气体储罐、空气储罐和反应媒介储罐，以使得三个所述射流单元工作时分别产生用于对DCB基板表面进行清洗、氧化改性及薄膜沉积的射流体羽；其中所述反应媒介为甲氧基硅烷、四氯化钛或四氟化碳，使得通过所沉积的薄膜对DCB基板表面的介电参数进行优化以提高电气强度。

2.根据权利要求1所述的系统，其特征在于：所述射流单元均包括金属外壳以及通过绝缘支撑件固定在所述金属外壳内的金属电极，所述金属电极均与所述电源装置相连接，所述金属外壳均接地；所述金属外壳的一端封闭且设有气体入口、另一端敞开以构成射流出口，所述绝缘支撑件上还开设有通气孔，三个所述射流单元的气体入口分别通过供气管与所述惰性气体、所述空气、所述反应媒介相连接。

3.根据权利要求2所述的系统，其特征在于：三个所述射流单元分别为依次设置的射流单元A、射流单元B及射流单元C；其中，所述射流单元A及所述射流单元C的射流出口处均安装有用于隔绝所述金属电极与所述金属外壳的、且由绝缘材料制成的环形阻挡介质。

4.根据权利要求3所述的系统，其特征在于：在所述射流单元B及射流单元C中，所述金属电极靠近射流出口的一端均安装有用于增强等离子体放电强度的金属针尖。

5.根据权利要求4所述的系统，其特征在于：所述射流单元B及所述射流单元C的射流出口处均安装有绝缘材料制成的阻挡块，且所述阻挡块中开设有用于控制射流体羽形态的通流微孔，且所述通流微孔正对所述金属针尖。

6.根据权利要求5所述的系统，其特征在于：在所述射流单元C中，所述阻挡块固定安装在所述环形阻挡介质中。

7.根据权利要求1所述的系统，其特征在于：所述电源装置为高频交流电源装置、微秒脉冲电源装置或纳秒脉冲电源装置。

8.根据权利要求1所述的系统，其特征在于：所述电源装置与各所述射流单元之间连接有电源开关，所述电源开关与开关控制器电性连接，所述开关控制器通过控制所述电源开关的状态以使所述电源装置与各所述射流单元选择性地导通；每个所述射流单元中的气体入口所连接的供气管上均设有流量开关，且各所述流量开关均与流量控制器电性连接。

9.根据权利要求8所述的系统，其特征在于：还包括输送装置，所述输送装置用于输送DCB基板，所述输送装置的输送方向与所述等离子体射流阵列中各射流单元的排列方向一致，且所述输送装置位于各所述射流单元的射流出口一侧；其中，所述等离子体射流阵列上还安装有用于检测DCB基板位置的位置检测装置，且所述位置检测装置与所述开关控制器、所述流量控制器电性连接。

10.一种应用于权利要求9所述系统的方法，其特征在于：包括以下步骤：

S1.当位置检测装置检测到DCB基板经过射流单元A时，所述开关控制器及所述流量控制器动作，将所述射流单元A单独接通所述电源装置和所述气源装置，使所述射流单元A产生惰性气体氛围下的射流体羽，从而对所述DCB基板表面进行清洗；

S2.当位置检测装置检测到DCB基板经过射流单元B时，所述开关控制器及所述流量控制器动作，将所述射流单元B单独接通所述电源装置和所述气源装置，使所述射流单元B产生空气氛围下的射流体羽，从而对所述DCB基板表面进行氧化改性，以提高表面粘附性；

S3.当位置检测装置检测到DCB基板经过射流单元C时，所述开关控制器及所述流量控制器动作，将所述射流单元C单独接通所述电源装置和所述气源装置，使所述射流单元C产生的射流体羽对所述DCB基板表面进行薄膜沉积，以优化介电参数、提高电气强度。