[发明专利]一种质子束和负氢离子双电荷态束流引出装置在审
| 申请号: | 202310170775.2 | 申请日: | 2023-02-27 |
| 公开(公告)号: | CN116234141A | 公开(公告)日: | 2023-06-06 |
| 发明(设计)人: | 冀鲁豫;安世忠;宋国芳;纪彬;边天剑;王哲 | 申请(专利权)人: | 中国原子能科学研究院 |
| 主分类号: | H05H7/10 | 分类号: | H05H7/10;H05H13/00 |
| 代理公司: | 北京维正专利代理有限公司 11508 | 代理人: | 卓凡 |
| 地址: | 10241*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 质子 氢离子 电荷 态束流 引出 装置 | ||
1.一种质子束和负氢离子双电荷态束流引出装置,其特征在于:在束流加速至引出能量的轨迹上,布设有质子束和负氢离子双电荷态束流引出装置;该双电荷态束流引出装置设有由不同厚度且不同位置剥离膜组合而成的剥离靶和静电偏转板,该不同位置剥离膜用于在线调节各成分束流占比,该不同厚度是指按照多电荷态束流引出的需求,将剥离膜设置为不同厚度;该不同位置是指在束流引出的轨迹上,该多个剥离膜相互之间的前后位置不同且径向位置不同。
2.根据权利要求1所述一种质子束和负氢离子双电荷态束流引出装置,其特征在于:该由质子束和负氢离子双电荷态束流引出装置,由剥离膜B和剥离膜C组合而成的剥离靶和静电偏转板组成;该剥离膜B和剥离膜C的厚度足够厚,使引出质子H+占比99.9%以上;该剥离膜B的中间设有矩形通孔,该矩形通孔用于控制负氢离子通过静电偏转板时,静电偏转板不被负氢离子轰击。
3.根据权利要求2所述一种质子束和负氢离子双电荷态束流引出装置,其特征在于:该由剥离膜B、剥离膜C组合而成的剥离靶,通过调整剥离膜C的径向位置,实现质子、负氢离子占比的在线调节。
4.根据权利要求3所述一种质子束和负氢离子双电荷态束流引出装置,其特征在于:所述通过调整剥离膜C的径向位置,实现质子、负氢离子占比的在线调节,具体为:剥离膜C内侧半径大于剥离膜B小孔外侧半径时,质子束占比最低,负氢离子束占比最高。
5.根据权利要求3所述一种质子束和负氢离子双电荷态束流引出装置,其特征在于:所述通过调整剥离膜C的径向位置,实现质子、负氢离子占比的在线调节,具体为:剥离膜C内侧半径越小,质子束占比越高,负氢离子束占比越低。
6.根据权利要求3所述一种质子束和负氢离子双电荷态束流引出装置,其特征在于:其特征在于:所述通过调整剥离膜C的径向位置,实现质子、负氢离子占比的在线调节,具体为:当剥离膜C内侧半径小于剥离膜B小孔内侧半径时,只引出质子束。
7.根据权利要求3所述一种质子束和负氢离子双电荷态束流引出装置,其特征在于:在调整剥离膜C的位置时,剥离膜C内侧半径不能小于剥离膜B内侧半径,用以防止在小于剥离膜B内侧半径的地方,剥离膜C将未达到引出能量区轨迹上的粒子进行剥离。
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