[发明专利]一种基于微细尺度燃烧的两级热光伏热电能源转化装置在审
| 申请号: | 202310161910.7 | 申请日: | 2023-02-24 |
| 公开(公告)号: | CN115996017A | 公开(公告)日: | 2023-04-21 |
| 发明(设计)人: | 何自强;游敬翔;李秀权;薛宗国;闫云飞;张雷 | 申请(专利权)人: | 重庆市特种设备检测研究院;重庆大学 |
| 主分类号: | H02S10/30 | 分类号: | H02S10/30;H02S10/10;H02S40/44;H02N11/00;H10N10/17;H10N10/13 |
| 代理公司: | 重庆壹手知专利代理事务所(普通合伙) 50267 | 代理人: | 彭啟强 |
| 地址: | 401121 重庆*** | 国省代码: | 重庆;50 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 基于 微细 尺度 燃烧 两级 热光伏 热电 能源 转化 装置 | ||
1.一种基于微细尺度燃烧的两级热光伏热电能源转化装置,其特征在于,包括微燃烧器(1)、发射器(2)、过滤器(3)、光伏电池(4)、热沉(5)、衔接装置(6)、余热回收室(7)、热交换器(8)、绝缘层(9)、第一导电片(10)、P型半导体(11)、N型半导体(12)、第二导电片(13)、绝缘层(14)和散热器(15);
所述热沉(5)的一侧为锯齿状,所述热沉(5)上远离所述锯齿状的一侧为平面,所述光伏电池(4)和散热器(15)设置在所述热沉(5)平面的一侧,所述过滤器(3)设置在所述光伏电池(4)远离所述热沉(5)的一侧,所述绝缘层(14)设置在所述散热器(15)远离所述热沉(5)的一侧,所述第二导电片(13)设置在所述绝缘层(14)远离所述散热器(15)的一侧,所述P型半导体(11)和N型半导体(12)设置在所述第二导电片(13)远离所述绝缘层(14)的一侧,所述第一导电片(10)设置在所述P型半导体(11)和N型半导体(12)远离所述第二导电片(13)的一侧,所述绝缘层(9)设置在所述第一导电片(10)远离所述P型半导体(11)和N型半导体(12)的一侧,所述热交换器(8)设置在所述绝缘层(9)远离所述第一导电片(10)的一侧,所述余热回收室(7)设置在所述热交换器(8)远离所述绝缘层(9)的一侧,所述衔接装置(6)设置在与所述热交换器(8)相邻的一侧,所述衔接装置(6)用于连接所述余热回收室(7)和所述微燃烧器(1),所述发射器(2)设置在所述微燃烧器(1)外表面。
2.根据权利要求1所述的基于微细尺度燃烧的两级热光伏热电能源转化装置,其特征在于,所述第二导电片(13)包括左侧导电片和右侧导电片,所述左侧导电片和右侧导电片之间具有第一缝隙。
3.根据权利要求2所述的基于微细尺度燃烧的两级热光伏热电能源转化装置,其特征在于,所述P型半导体(11)设置在所述左侧导电片远离所述绝缘层(14)的一侧,所述N型半导体(12)设置在所述右侧导电片远离所述绝缘层(14)的一侧,所述P型半导体(11)和所述N型半导体(12)之间具有第二缝隙,所述第二缝隙大于第一缝隙。
4.根据权利要求3所述的基于微细尺度燃烧的两级热光伏热电能源转化装置,其特征在于,所述P型半导体(11)和N型半导体(12)的高度相同。
5.根据权利要求1所述的基于微细尺度燃烧的两级热光伏热电能源转化装置,其特征在于,所述衔接装置(6)和余热回收室(7)均为圆柱体,且所述衔接装置(6)和余热回收室(7)的直径相同,所述余热回收室(7)的外圆周面与所述热交换器(8)相连接,所述微燃烧器(1)设置在所述衔接装置(6)远离所述余热回收室(7)的一侧。
6.根据权利要求1所述的基于微细尺度燃烧的两级热光伏热电能源转化装置,其特征在于,所述过滤器(3)、光伏电池(4)、热沉(5)、热交换器(8)、绝缘层(9)、第一导电片(10)、P型半导体(11)、N型半导体(12)、第二导电片(13)、绝缘层(14)和散热器(15)作为第一镜像体,所述微燃烧器(1)、发射器(2)、衔接装置(6)、余热回收室(7)作为镜像基准结构,所述第一镜像体基于所述镜像基准结构的中轴面形成第二镜像体,所述中轴面与所述微燃烧器(1)、发射器(2)、衔接装置(6)、余热回收室(7)的中轴线重合,且与所述热交换器(8)靠近所述余热回收室(7)的一侧平行。
7.根据权利要求1所述的基于微细尺度燃烧的两级热光伏热电能源转化装置,其特征在于,所述微燃烧器(1)尺寸在100毫米内,所述微燃烧器(1)外壁为所述发射器(2)。
8.根据权利要求1所述的基于微细尺度燃烧的两级热光伏热电能源转化装置,其特征在于,利用所述热沉(5)增强换热,其散热方式为自然空气对流。
9.根据权利要求1所述的基于微细尺度燃烧的两级热光伏热电能源转化装置,其特征在于,所述P型半导体(11)与N型半导体(12)至少一对。
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