[发明专利]一种异质半导体器件

权利要求书

1.一种异质半导体器件，其特征在于，至少包括由第一半导体材料构成的第一部件和第二半导体材料构成的第二部件，所述的第一部件和第二部件分别构成所述半导体器件的第一活性区域和第二活性区域；所述的第一部件和第二部件仅通过由第三半导体材料构成的第三部件连接，以减少所述第一部件和第二部件的连通面积。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第三部件为上下宽度相同的柱形结构或上下宽度不同的梯形结构。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，第三半导体材料的晶格常数α满足：0.9α₁≤α≤1.1α₂，其中，α₁、α₂为第一半导体材料、第二半导体材料的晶格常数；或α₁、α₂为第二半导体材料、第一半导体材料的晶格常数。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，所述第三半导体材料与第一半导体材料或第二半导体材料为同种材料；或第三半导体材料为第二半导体材料和第一半导体材料组成的固溶体。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第三部件是在一约束通道内，从所述第一部件表面外延生长得到。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一部件和第二部件之间的第三部件以外的空间，还通过介电材料进行填充。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件为线性模式雪崩二极管(APD)或盖革模式单光子雪崩二极管(SPAD)，具有正负二个电极；所述第一部件和第二部件之一为雪崩区，之二为吸收区。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，第一部件或第二部件中，有一掺杂层，以调控雪崩区和吸收区的电场；或者第一部件或第二部件表面，设有第三电极，以调控雪崩区和吸收区的电场；或者所述第一部件和第二部件之间的第三部件以外的空间，还通过介电材料进行填充；且所述介电材料中设有电极，以调控雪崩区和吸收区的电场。

9.一种探测器，其特征在于，包括权利要求1-8任一项所述的半导体器件。

10.一种光伏电池，其特征在于，包括权利要求1-6任一项所述的半导体器件。