[发明专利]一种显示面板和显示装置在审
申请号: | 202310149175.8 | 申请日: | 2023-02-20 |
公开(公告)号: | CN116130494A | 公开(公告)日: | 2023-05-16 |
发明(设计)人: | 陈鑫;柳家娴 | 申请(专利权)人: | 湖北长江新型显示产业创新中心有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H10K59/126;G02F1/1362;G02F1/1368 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 杨义 |
地址: | 430205 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 面板 显示装置 | ||
1.一种显示面板,其特征在于,包括:
衬底基板;
至少一个薄膜晶体管,位于所述衬底基板的一侧,所述薄膜晶体管包括有源层,所述有源层包括接触部、沟道部和掺杂部,所述掺杂部位于所述接触部和所述沟道部之间;
第一遮光结构,与所述有源层异层设置,沿垂直于所述显示面板所在平面的方向,所述第一遮光结构与所述掺杂部至少部分交叠。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,沿垂直于所述显示面板所在平面的方向,所述第一遮光结构位于所述衬底基板和所述有源层所在膜层之间。
3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,还包括第二遮光结构,与所述第一遮光结构同层设置且相互绝缘,沿垂直于所述显示面板所在平面的方向,所述第二遮光结构与所述沟道部至少部分交叠。
4.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述第一遮光结构和所述第二遮光结构均为金属遮光结构,所述第一遮光结构和所述第二遮光结构之间通过开口间隔。
5.根据权利要求4所述的显示面板,其特征在于,所述掺杂部包括相互连接的第一区和第二区,沿垂直于所述显示面板所在平面的方向,所述第一区与所述第一遮光结构交叠,所述第二区与所述开口交叠。
6.根据权利要求5所述的显示面板,其特征在于,所述薄膜晶体管包括驱动晶体管和开关晶体管;
沿垂直于所述显示面板所在平面的方向,与所述驱动晶体管的所述掺杂部交叠的所述开口的面积,大于与所述开关晶体管的所掺杂部交叠的所述开口的面积。
7.根据权利要求4所述的显示面板,其特征在于,所述第一遮光结构浮置。
8.根据权利要求4所述的显示面板,其特征在于,所述第二遮光结构连接固定电位。
9.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,在同一所述薄膜晶体管的所述有源层沿垂直于所述显示面板所在平面方向上的投影覆盖区域内,所述第一遮光结构远离所述第二遮光结构的一侧与所述掺杂部交叠;或者,所述第一遮光结构远离所述第二遮光结构的一侧与所述接触部交叠。
10.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述薄膜晶体管还包括栅极、源极和漏极,所述栅极与所述有源层异层设置,沿垂直于所述显示面板所在平面的方向,所述栅极与所述沟道部交叠;
所述接触部分别与所述源极和所述漏极搭接;
沿平行于所述有源层所在平面的方向,所述掺杂部位于所述沟道部与所述接触部之间。
11.根据权利要求10所述的显示面板,其特征在于,其特征在于,所述接触部包括第一子接触部和第二子接触部,所述第一子接触部与所述源极搭接,所述第二子接触部与所述漏极搭接;
所述掺杂部包括第一子掺杂部和第二子掺杂部,沿平行于所述有源层所在平面的方向,所述第一子掺杂部位于所述第一子接触部和所述沟道部之间,所述第二子掺杂部位于所述第二子接触部和所述沟道部之间;
所述第一遮光结构包括第一子遮光结构和第二子遮光结构,沿垂直于所述显示面板所在平面的方向,所述第一子遮光结构与所述第一子掺杂部交叠,所述第二子遮光结构与所述第二子掺杂部交叠;
其中,沿垂直于所述显示面板所在平面的方向,所述第一子遮光结构的厚度小于与所述第二子遮光结构交叠的厚度;和/或,所述第一子掺杂部中与所述第一子遮光结构交叠的区域的面积,大于所述第二子掺杂部中与所述第二子遮光结构交叠的区域的面积。
12.根据权利要求10所述的显示面板,其特征在于,所述栅极位于所述有源层所在膜层背离所述衬底基板的一侧;或者,所述栅极位于所述有源层所在膜层朝向所述衬底基板的一侧。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的