[发明专利]ESD器件

权利要求书

1.一种ESD器件，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底中形成有第一STI结构和第二STI结构，从俯视角度观察，所述第一STI结构和所述第二STI结构为环形，所述第一STI结构位于所述第二STI结构的外侧且所述第一STI结构和所述第二STI结构之间不重叠；

所述第一STI结构和所述第二STI结构之间的衬底中形成有二极管结构；

所述第一STI结构外侧的衬底中形成有第一重掺杂区，所述第二STI结构环绕的区域内形成有多个MOS器件。

2.根据权利要求1所述的ESD器件，其特征在于，所述多个MOS器件中的每个MOS器件包括栅极、栅极与衬底之间的栅介质层以及位于栅极两侧衬底中的第二重掺杂区和第三重掺杂区。

3.根据权利要求2所述的ESD器件，其特征在于，所述二极管结构包括形成于衬底中的第四重掺杂区和第五重掺杂区，从俯视角度观察，所述第四重掺杂区和所述第五重掺杂区为环形，所述第四重掺杂区位于所述第五重掺杂区的外侧且所述第四重掺杂区和所述第五重掺杂区之间不重叠，所述第四重掺杂区和所述第五重掺杂区中掺入的杂质类型不同。

4.根据权利要求3所述的ESD器件，其特征在于，所述第四重掺杂区和所述第一重掺杂区中掺入的杂质类型相同，所述第二重掺杂区、所述第三重掺杂区和所述第五重掺杂区中掺入的杂质类型相同。

5.根据权利要求4所述的ESD器件，其特征在于，所述第四重掺杂区和所述第五重掺杂区之间的衬底上形成有多晶硅层。

6.根据权利要求4所述的ESD器件，其特征在于，所述第四重掺杂区和所述第五重掺杂区之间的衬底上形成有SAB层。

7.根据权利要求5或6所述的ESD器件，其特征在于，所述栅极的一侧形成有Z字型SAB层，所述Z字型SAB层的上部与所述栅极的顶部接触，所述Z字型SAB层的中部与所述栅极的侧壁接触，所述Z字型SAB层的下部与所述衬底接触。

8.根据权利要求7所述的ESD器件，其特征在于，所述第二重掺杂区和所述第三重掺杂区之间的衬底中形成有口袋注入区，所述口袋注入区中的杂质浓度小于所述第二重掺杂区和所述第三重掺杂区的杂质浓度。