[发明专利]一种扩散炉管及采用其提升硅片方阻均匀性的方法

权利要求书

1.一种扩散炉管，其特征在于，所述扩散炉管包括炉体(1)和进气管(2)，所述炉体包括进气口(3)和出气口(4)，所述进气管(2)通过所述进气口(3)延伸至所述炉体(1)内部，所述进气管(2)位于所述炉体(1)的底部；

所述炉体内部的进气管(2)上设置有至少两个出气孔(5)。

2.根据权利要求1所述的扩散炉管，其特征在于，所述出气孔(5)在所述进气管(2)上均匀分布；

优选地，所述出气孔(5)的孔径为4-8mm；

优选地，所述出气孔(5)的出气方向与硅片的表面垂直；

优选地，所述进气口(3)位于所述炉体(1)的炉口(8)底部，所述出气口(4)位于所述炉体(1)的炉尾(9)；

优选地，所述炉体(1)的炉口(8)中部开设有补气口(6)，所述补气口(6)与补气管(7)的出气口连接，所述补气管(7)的进气口与气源连接，所述补气管(7)位于所述炉体(1)的中部；

优选地，所述扩散炉管还包括设置在所述炉尾(9)且位于所述炉体(1)中部的抽排系统(10)。

3.一种提升硅片方阻均匀性的方法，其特征在于，所述方法采用权利要求1或2所述的扩散炉管提升硅片方阻均匀性，所述方法包括以下步骤：

(1)将制绒后的硅片置于扩散炉管的炉体(1)中，抽真空并升温；

(2)氧化：将氧化性气体通入进气管(2)，对所述制绒后的硅片进行氧化；

(3)一次通源：向进气管(2)中通入磷源气体和氧化性气体，磷源气体的流量记为L₁；

(4)二次通源：增大步骤(3)所述通入磷源气体的流量，记为L₂；

(5)升温：升高炉体(1)内的温度，并将氧化性气体和惰性气体通入进气管(2)；

(6)降温：降低炉体(1)内的温度，并向进气管(2)通入惰性气体；

(7)三次通源：将氧化性气体和磷源气体通入进气管(2)；

(8)氧化：将氧化性气体通入进气管(2)；

(9)将惰性气体通入进气管(2)，出舟。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，步骤(1)所述升温的时间为50-500s；

优选地，步骤(1)所述升温后的温度为700-800℃；

优选地，步骤(1)所述抽真空后，炉体(1)内的压力为10-1000mbar；

优选地，步骤(1)所述升温后进行恒温检漏；

优选地，所述恒温检漏的时间为50-500s；

优选地，所述恒温检漏的过程中，炉体(1)内的压力为10-100mbar。

5.根据权利要求3或4所述的方法，其特征在于，步骤(2)所述氧化性气体包括氧气；

优选地，步骤(2)所述氧化性气体的流量为500-2000sccm；

优选地，步骤(2)所述氧化的时间为100-1000s；

优选地，步骤(2)所述氧化的温度为700-800℃；

优选地，步骤(2)所述氧化的过程中，炉体(1)内的压力为10-100mbar。

6.根据权利要求3-5任一项所述的方法，其特征在于，步骤(3)所述一次通源的时间为200-1200s；

优选地，步骤(3)所述一次通源的温度为700-800℃；

优选地，步骤(3)中，L₁为500-1000sccm；

优选地，步骤(3)所述一次通源的过程中，炉体(1)内的压力为10-100mbar；

优选地，步骤(3)所述磷源气体包括三氯氧磷；

优选地，步骤(3)所述氧化性气体的流量为500-2000sccm；

优选地，步骤(3)所述一次通源的过程中，向所述补气管通入磷源气体和氧化性气体。