[发明专利]掩模版及其制备方法

权利要求书

1.一种掩模版，其特征在于，包括：基底、依次形成在所述基底上的至少两层相位移层和一遮光层，所述遮光层中定义有遮光图案，所述相位移层位于所述遮光图案的下方并从所述遮光图案的边缘延伸出；

其中，在至少部分遮光图案的下方重叠设置有至少两层相位移层，并且至少两层相位移层从遮光图案的下方横向延伸出的尺寸不同，以使相位移量梯度递减。

2.如权利要求1所述的掩模版，其特征在于，所述遮光层定义出的遮光图案中，还有一部分遮光图案的下方仅形成有其中一层相位移层。

3.如权利要求1所述的掩模版，其特征在于，单一层相位移层所产生的相位移量小于等于135°；沿着厚度方向重叠设置有至少两层相位移层时所产生的相位移量小于等于200°。

4.如权利要求1所述的掩模版，其特征在于，所有相位移层均只延伸在所述遮光图案的边缘区域，并且至少部分相位移层的边缘厚度沿着延伸方向逐步减小。

5.如权利要求1所述的掩模版，其特征在于，所述至少两层相位移层中包括只延伸在遮光图案边缘的部分覆盖相位移层和覆盖整个基底的全覆盖相位移层，所述全覆盖相位移层的光透过率大于所述部分覆盖相位移层的光透过率。

6.如权利要求5所述的掩模版，其特征在于，所述部分覆盖相位移层位于所述全覆盖相位移层的下方，所述部分覆盖相位移层的端部厚度沿着延伸方向逐步减小，所述全覆盖相位移层保形的覆盖所述部分覆盖相位移层。

7.如权利要求4或6所述的掩模版，其特征在于，延伸在遮光图案边缘的相位移层的端部由顶表面至侧壁呈弧状连接而形成弧形表面；或者，延伸在遮光图案边缘的相位移层的端部为斜角结构。

8.如权利要求1所述的掩模版，其特征在于，所述基底的顶表面上还形成有碳薄膜层，所述至少两层相位移层形成在所述碳薄膜层上。

9.一种掩模版的制备方法，其特征在于，包括：提供基底，并形成遮光层在所述基底上，所述遮光层中定义有遮光图案；

其中，在形成所述遮光层之前，还形成至少两层相位移层在所述基底上，所述相位移层位于所述遮光图案的下方并从所述遮光图案的边缘延伸出。

10.如权利要求9所述的掩模版的制备方法，其特征在于，所述至少两层相位移层的制备方法包括：

形成图案化的第一相位移层，所述第一相位移层位于遮光图案的下方并延伸出遮光图案的边缘；

形成介质层，所述介质层覆盖所述第一相位移层，并平坦化所述介质层的顶表面；以及，

形成图案化的第二相位移层在平坦化后的介质层上，所述第二相位移层也位于遮光图案的下方并延伸出遮光图案的边缘。

11.如权利要求9所述的掩模版的制备方法，其特征在于，所述至少两层相位移层的制备方法包括：

形成图案化的第一相位移层，所述第一相位移层位于遮光图案的下方并延伸出遮光图案的边缘；以及，

沉积第二相位移层，所述第二相位移层全覆盖整个基底，并保形的覆盖所述第一相位移层。

12.如权利要求9-11任一项所述的掩模版的制备方法，其特征在于，在形成所述相位移层之前，还包括：在所述基底的顶表面上形成碳薄膜层。