[发明专利]半导体器件及其形成方法

权利要求书

1.一种形成半导体器件的方法，所述方法包括：

在设置在衬底上方的导电焊盘上方形成钝化层；

在所述钝化层上方依次形成第一绝缘层和第一磁层；

在所述第一磁层上方形成第一聚合物层；

在所述第一聚合物层上方形成第一导电部件和第二导电部件；

在所述第一聚合物层、所述第一导电部件和所述第二导电部件上方形成第二聚合物层，其中，所述第二聚合物层由光敏材料形成；

将所述第二聚合物层暴露于穿过第一掩模层投射的光源，其中，所述第一掩模层在曝光期间定位于所述第二聚合物层上方并且包括：

第一透明层；

第一非透明图案，附接至所述第一透明层并且位于所述第一导电部件的第一侧处；和

第二非透明图案，附接至所述第一透明层并且位于所述第一导电部件与所述第二导电部件之间的所述第一导电部件的第二相对侧处；

将所述第二聚合物层暴露于穿过第二掩模层投射的所述光源，其中，所述第二掩模层包括第三非透明图案，所述第三非透明图案附接至第二透明层并且位于所述第一导电部件的所述第一侧处，所述第三非透明图案具有比所述第一非透明图案小的宽度，其中，所述第二掩模层在所述第一导电部件和所述第二导电部件之间没有非透明图案；

显影所述第二聚合物层以去除所述第二聚合物层的部分；以及

在所述显影之后，在所述第二聚合物层上方依次形成第二绝缘层和第二磁层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一磁层和所述第二磁层由磁性化合物材料形成。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述显影之后，与所述第一导电部件的所述第一侧相邻的所述第二聚合物层的第一侧壁具有凹形。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述显影之后，与所述第一导电部件的所述第一侧相邻的所述第二聚合物层的第一侧壁具有以多个不同角度相交的多个段。

5.根据权利要求4所述的方法，还包括通过调整所述第一非透明图案和所述第二非透明图案的位置和尺寸来调整所述第二聚合物层的所述第一侧壁的轮廓。

6.根据权利要求4所述的方法，其中，在所述显影之后，所述第二聚合物层的第二侧壁具有倾斜的线性轮廓，其中，所述第二聚合物层的所述第一侧壁和所述第二侧壁位于所述第一导电部件的相对侧上，并且所述第二聚合物层的所述第二侧壁位于所述第一导电部件和所述第二导电部件之间。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述第二聚合物层的所述第一侧壁接触所述第一聚合物层，其中，所述第二聚合物层的所述第二侧壁与所述第一聚合物层间隔开。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述第一聚合物层包括：

在所述钝化层上方沉积所述第一聚合物层，其中，所述第一聚合物层由另一种光敏材料形成；以及

使用光刻工艺图案化所述第一聚合物层，其中，图案化所述第一聚合物层包括调整所述光刻工艺的能量或所述光刻工艺的焦点，使得所述第一聚合物层的第一侧壁与第一方向形成第一角度，所述第一方向垂直于所述衬底的主要上表面，其中，所述第一角度在15度和75度之间。

9.一种形成半导体器件的方法，所述方法包括：

在设置在衬底上方的导电焊盘上方形成钝化层；以及

在所述钝化层上方形成电感组件，包括：

在所述钝化层上方依次形成第一绝缘层和第一磁层；

在所述第一磁层上方形成第一聚合物层；

在所述第一聚合物层上方形成第一导电部件；

在所述第一聚合物层和所述第一导电部件上方形成第二聚合物层；

图案化所述第二聚合物层，其中，在所述图案化之后，所述第二聚合物层的第一侧壁包括多个段，其中，所述多个段中的第一段的延伸与所述第二聚合物层相交；和

在图案化所述第二聚合物层之后，在所述第二聚合物层上方依次形成第二绝缘层和第二磁层。

10.一种半导体器件，包括：

导电焊盘，位于衬底上方；

钝化层，位于所述导电焊盘上方；

第一绝缘层，位于所述钝化层上方；

第一磁层，位于所述第一绝缘层上方；

第一聚合物层，位于所述第一磁层上方；

导电部件，位于所述第一聚合物层上方；

第二聚合物层，位于所述第一聚合物层上方和所述导电部件周围，其中，所述第二聚合物层的第一侧壁具有以不同角度相交的多个段；

第二绝缘层，位于所述第二聚合物层上方；以及

第二磁层，位于所述第二绝缘层上方。