[发明专利]芯片与基板键合方法及具有其的显示面板、电子设备

说明书

本申请涉及半导体技术领域，提供了一种芯片与基板键合方法及具有其的显示面板、电子设备。该芯片与基板键合方法包括提供芯片和基板，芯片上设置有金属电极，金属电极的表面为凹凸结构，基板上设置有金属焊盘，金属焊盘的表面以及相邻间隙中涂布底部填充胶，且底部填充胶的高度大于金属焊盘的高度；将芯片和基板进行对位，并根据第一热压条件将芯片和基板进行预键合，第一热压条件用于软化底部填充胶，并可使金属电极穿透底部填充胶与金属焊盘相接触；根据第二热压条件将芯片和基板进行键合，第二热压条件用于熔融金属电极并与金属焊盘之间发生扩散，形成共晶键合。采用本申请的键合方法，能确保芯片与基板的稳定键合，可靠性强，延长了使用寿命。

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，特别是涉及一种芯片与基板键合方法及具有其的显示面板、电子设备。

背景技术

随着显示技术的不断发展，Micro-LED(Micro Light Emitting Diode，微发光二极管)这种微小型LED芯片受到广泛关注，它的尺寸介于1um-100um之间，是目前最有希望替代LCD(Liquid Crystal Display，液晶显示器)和OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管)的新一代半导体显示技术。为了满足高分辨率的显示需求，通常需要Micro-LED芯片阵列片上设置几万甚至几十万颗微米级别的微型芯片，芯片底部键合点也是微米级别尺寸。

然而，相关技术在芯片与基板键合后，再从四周填充底部填充胶，但由于基板焊盘之间尺寸越来越小，胶水的流动性有限，这会导致胶水很难均匀地填充到整个焊盘的缝隙，胶水没有填充到的地方留有空隙，在后期使用过程中存在键合失效的风险，缩短了使用寿命。

发明内容

基于此，有必要针对上述缺陷或不足，提供一种芯片与基板键合方法及具有其的显示面板、电子设备，能够确保芯片与基板的稳定键合，可靠性强，延长了使用寿命。

第一方面，本申请实施例提供了一种芯片与基板键合方法，所述方法包括：

提供芯片和基板，所述芯片上设置有金属电极，所述金属电极的表面为凹凸结构，所述基板上设置有金属焊盘，所述金属焊盘的表面以及相邻间隙中涂布底部填充胶，且所述底部填充胶的高度大于所述金属焊盘的高度；

将所述芯片和所述基板进行对位，并根据第一热压条件将所述芯片和所述基板进行预键合，所述第一热压条件用于软化所述底部填充胶，并可使所述金属电极穿透所述底部填充胶与所述金属焊盘相接触；

根据第二热压条件将所述芯片和所述基板进行键合，所述第二热压条件用于熔融所述金属电极并与所述金属焊盘之间发生扩散，形成共晶键合。

在一个实施例中，所述提供芯片和基板包括：

清洁所述金属电极的表面；

在所述金属电极的表面进行图案化刻蚀，形成所述凹凸结构；

清洁整个所述基板的表面；

在所述基板的表面涂布所述底部填充胶，并对所述底部填充胶进行固化。

在一个实施例中，所述图案化刻蚀的方式包括紫外激光烧蚀、电感耦合等离子体刻蚀或者化学刻蚀。

在一个实施例中，所述涂布的方式包括喷涂、旋涂或者滴入。

在一个实施例中，所述凹凸结构包括锥体、柱体和台体中的至少一种。

在一个实施例中，所述基板包括硅基板、玻璃基板或者印刷电路板。

在一个实施例中，所述第一热压条件中温度为80℃～120℃，压力为0.2MPa～0.5MPa，时间为1min～2min。

在一个实施例中，所述第二热压条件中温度为180℃～250℃，压力为0.5MPa～1MPa，时间为5min～30min。