[发明专利]栅极的制作方法

说明书

本发明提供一种栅极的制作方法，包括在多晶硅层的刻蚀形成栅极后，进行第一次各向同性刻蚀去除栅极侧壁的原生氧化物，进行第二次各向同性刻蚀去除栅极侧壁的条纹形貌。本发明栅极刻蚀后增加两步各向同性刻蚀，通过控制两步各向同性刻蚀的刻蚀参数，避免栅极侧壁出现条纹现象，进而改善栅极侧壁形貌，提高了器件的稳定性。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种栅极的制作方法。

背景技术

RFLDMOS(Radio Frequency Lateral Double-diffused MOSFET，射频横向双扩散金属氧化物场效应管)具有高工作频率、高耐压、高输出功率、高增益、高线性等优点，被广泛应用在移动发射基站、广播电视发射基站、宽带频率调制发射机、机载应答器、雷达系统等。

栅形貌对阈值电压有着重要的影响，在RFLDMOS器件的制作过程中，通过刻蚀多晶硅形成多晶硅栅，若刻蚀后的栅极形貌不稳定，将会影响器件的阈值电压，进而影响器件的性能。然而，在RFLDMOS产品的栅极(GPL ET)中，由于多晶硅颗粒粗化(Poly grain rough)的原因，在通常的刻蚀栅极多晶硅(Poly)过程中，栅极的侧壁条纹(Striation)比较严重，如图1所示，且侧壁容易形成一层原生氧化物(native oxide)，导致后续栅极过刻蚀(PolyOE step)无法改善此striation形貌，从而给刻蚀的侧壁及底部形貌带来困扰。因此，亟需一种栅极的制作方法来改善栅极侧壁形貌的问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种栅极的制作方法，通过在栅极刻蚀过程中添加两部各向同性刻蚀，改善栅极侧壁形貌，提高器件的稳定性。

为达到上述目的，本发明提供一种栅极的制作方法，包括：

提供衬底，在所述衬底上依次形成栅氧层和多晶硅层；

进行多晶硅层的刻蚀形成栅极；

进行第一次各向同性刻蚀去除栅极侧壁的原生氧化物；

进行第二次各向同性刻蚀去除栅极侧壁的条纹形貌。

可选的，多晶硅层的刻蚀形成栅极的过程包括：

在所述多晶硅层上形成图案化的底部抗反射层和光刻胶层；

以图案化的底部抗反射层和光刻胶层为掩膜，对所述多晶硅层进行刻蚀。

可选的，对所述多晶硅层进行的刻蚀包括：预刻蚀、主刻蚀、着陆刻蚀及过刻蚀。

可选的，所述第一次各向同性刻蚀采用的刻蚀气体包括氟基气体。

可选的，所述氟基气体包括CF₄、CH₂F₂、CHF₃中的一种或至少两种的组合。

可选的，所述第一次各向同性刻蚀中偏置功率为50W～100W。

可选的，所述第二次各向同性刻蚀采用的刻蚀气体包括氯基气体。

可选的，所述氯基气体包括Cl₂、CH₂Cl₂、CH₃Cl中的一种或至少两种的组合。

可选的，所述第二次各向同性刻蚀中偏置功率为50W～100W。

可选的，所述栅氧层的厚度为所述多晶硅层的厚度为所述底部抗反射层的厚度为

附图说明

图1为一多晶硅栅极的侧壁形貌的电镜图；

图2为本发明一实施例提供的栅极的制作方法的流程图；