[发明专利]声表面波器件在审
申请号: | 202310077930.6 | 申请日: | 2023-02-08 |
公开(公告)号: | CN116208112A | 公开(公告)日: | 2023-06-02 |
发明(设计)人: | 智树芳;吴凯;吉元進;张元 | 申请(专利权)人: | 合肥芯投微电子有限公司;NDK声表滤波器股份有限公司 |
主分类号: | H03H9/02 | 分类号: | H03H9/02;H03H9/145 |
代理公司: | 常州市权航专利代理有限公司 32280 | 代理人: | 朱鑫乐 |
地址: | 230088 安徽省合肥市高新区*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 表面波 器件 | ||
1.一种声表面波器件,其特征在于,包括:
基底;
功能层薄膜,形成于所述基底上;
压电基板,形成于所述功能层薄膜上;
一对叉指换能器电极,包括:
一对汇流条,形成于所述压电基板上;及
多个电极指,从这些汇流条的各者朝向相向的汇流条彼此呈梳齿状伸出,
所述电极指包括第一电极指膜和第二电极指膜,所述第一电极指膜的基端部与汇流条连接,所述第二电极指膜的基端部与所述第一电极指模层叠,形成低声速区;
所述第二电极指膜的前端部相对的汇流条连接有远离所述二电极指膜的前端部的虚指膜。
2.如权利要求1所述的声表面波器件,其特征在于:所述虚指膜包括多个间隔排列的虚指膜单元块。
3.如权利要求2所述的声表面波器件,其特征在于:所述虚指膜的厚度小于第二电极指膜的厚度。
4.如权利要求1~3任一项所述的声表面波器件,其特征在于:所述第一电极指膜厚度为2%λ~4%λ,所述第二电极指膜厚度为大于5%λ~12%λ。
5.如权利要求4所述的声表面波器件,其特征在于:所述压电基板的材料为Y-X切的LiTaO3,欧拉角(φ,θ,ψ)表述中的其切角为Φ=0°±10°,ψ=0°±10°,θ=30°~60°,所述压电基板的厚度为0.2λ~0.5λ。
6.如权利要求5所述的声表面波器件,其特征在于:所述功能层薄膜的材料为SiO2,厚度为0.2λ~0.6λ。
7.如权利要求6所述的声表面波器件,其特征在于:所述基底的材料为高阻硅,所述基体的电阻率大于10000 Ω·cm,欧拉角(φ,θ,ψ)表述中的其切角为Φ=0°±10°,θ=90°-120°,ψ=90°-120°,所述基底的厚度大于100um。
8.如权利要求7所述的声表面波器件,其特征在于:还包括高阻膜,所述高阻膜层叠在基底与功能层薄膜之间。
9.如权利要求8所述的声表面波器件,其特征在于:所述高阻膜的材料为多晶硅,所述高阻膜的厚度为100nm~1000nm。
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