[发明专利]一种薄膜声学谐振器

权利要求书

1.一种薄膜声学谐振器，包括衬底、声学反射镜、第一电极、压电层、第二电极、刻蚀停止层，所述声学反射镜设置于所述衬底，所述第一电极设置于所述衬底的一侧并覆盖所述声学反射镜，所述压电层的至少部分设置于所述第一电极背离所述衬底的一侧，所述第二电极设置于所述压电层背离所述第一电极的一侧，所述刻蚀停止层设置于所述第二电极背离所述压电层的一侧，其特征在于，所述薄膜声学谐振器还包括至少两层叠层组件，所述叠层组件设置于所述刻蚀停止层背离所述第二电极的一侧，所述叠层组件为框形结构，每一层所述叠层组件包括依次层叠的质量负载层和插入层，沿垂直于所述薄膜声学谐振器的厚度方向，至少两层所述叠层组件的至少一侧边缘交错设置。

2.根据权利要求1所述的薄膜声学谐振器，其特征在于，所述第一电极、所述压电层、所述第二电极、所述刻蚀停止层的沿所述薄膜声学谐振器的厚度方向重叠的区域构成所述薄膜声学谐振器的有效源区；

至少两层所述叠层组件的至少部分位于所述有效源区内，且靠近所述有效源区的边缘设置。

3.根据权利要求2所述的薄膜声学谐振器，其特征在于，所述叠层组件中的至少一层还包括沿垂直于所述薄膜声学谐振器的厚度方向延伸且至少部分位于所述有效源区外的延伸结构。

4.根据权利要求1所述的薄膜声学谐振器，其特征在于，所述至少两层叠层组件沿垂直于所述薄膜声学谐振器的厚度方向的宽度相同或者不同。

5.根据权利要求1所述的薄膜声学谐振器，其特征在于，所述质量负载层沿垂直于所述薄膜声学谐振器的厚度方向的宽度为0.5μm～8μm。

6.根据权利要求1所述的薄膜声学谐振器，其特征在于，沿所述薄膜声学谐振器的厚度方向，所述插入层的厚度为0.01μm～0.2μm。

7.根据权利要求1-6中任一项所述的薄膜声学谐振器，其特征在于，所述质量负载层的声阻抗大于所述插入层的声阻抗。

8.根据权利要求1-6中任一项所述的薄膜声学谐振器，其特征在于，所述声学反射镜为形成于所述衬底靠近所述第一电极一侧的空腔，或者，所述声学反射镜为形成在所述衬底内部的空腔。

9.根据权利要求8所述的薄膜声学谐振器，其特征在于，沿所述薄膜声学谐振器的厚度方向，所述第一电极向所述衬底的投影至少部分位于所述空腔外，所述第二电极向所述衬底的投影位于所述空腔范围内。

10.根据权利要求1-6中任一项所述的薄膜声学谐振器，其特征在于，所述质量负载层的材料包括铝(Al)、钼(Mo)、钨(W)、钌(Ru)中的至少一种；

和/或，所述插入层的材料包括氮化铝(AlN)、氮化硅(Si₃N₄)中的至少一种。