[发明专利]一种避免金属过刻的画素稳压阵列基板及其制作方法

权利要求书

1.一种避免金属过刻的画素稳压阵列基板，其特征在于，包括：

玻璃衬底；

第一金属层，镀在所述玻璃衬底的上表面，形成了间隔分布的栅极、控制栅极的CK信号走线、控制导电层的CK信号走线，所述控制栅极的CK信号走线的电位高低与所述控制导电层的CK信号走线的电位高低相反；

栅绝缘层，镀在所述玻璃衬底与所述第一金属层的上表面，所述栅绝缘层开设有第一挖孔、第二挖孔与第三挖孔，所述栅极露出于所述第一挖孔，所述控制栅极的CK信号走线露出于所述第二挖孔，所述控制导电层的CK信号走线露出于所述第三挖孔；

有源层，镀在所述栅绝缘层的上表面，还位于所述栅极的正上方；

第二金属层，镀在所述栅绝缘层的上表面，形成了间隔分布的源极、漏极与第一信号连接线，所述源极与所述有源层的左端连接，所述漏极与所述有源层的右端连接，所述第一信号连接线的右端穿过所述第一挖孔与所述栅极连接，所述第一信号连接线的左端穿过所述第二挖孔与所述控制栅极的CK信号走线连接；

钝化层，镀在所述栅绝缘层、有源层、第二金属层的上表面，所述钝化层开设有第四挖孔与第五挖孔，所述第四挖孔与所述第三挖孔相通，所述控制导电层的CK信号走线露出于所述第四挖孔，所述漏极露出于所述第五挖孔；

导电层，镀在所述钝化层的上表面，还位于所述漏极的正上方，在所述钝化层的上表面还镀有第二信号连接线，所述导电层与所述第二信号连接线的右端连接，所述第二信号连接线的左端穿过所述第四挖孔、第三挖孔与所述控制导电层的CK信号走线连接；

画素电极，镀在所述钝化层的上表面，所述画素电极的引线穿过所述第五挖孔与所述漏极连接。

2.根据权利要求1所述的一种避免金属过刻的画素稳压阵列基板，其特征在于，还包括：

所述第二金属层还形成了间隔分布的TP走线；

外绝缘层，镀在所述画素电极、导电层、钝化层的上表面，所述外绝缘层还开设有第六挖孔，所述第六挖孔穿透所述钝化层，所述TP走线露出于所述第六挖孔；

公共电极，镀在所述外绝缘层的上表面，所述公共电极还通过所述第六挖孔与所述TP走线连接。

3.根据权利要求2所述的一种避免金属过刻的画素稳压阵列基板，其特征在于，所述第一金属层是Ti/AL/Ti三层结构，所述第二金属层是MO/AL/MO三层结构。

4.根据权利要求2所述的一种避免金属过刻的画素稳压阵列基板，其特征在于，所述栅绝缘层是SiOx单层结构或者SiNx/SiOx双层结构，所述钝化层是SiO₂材质，所述外绝缘层是SiOx或者SiNO或者SiNx材质。

5.根据权利要求2所述的一种避免金属过刻的画素稳压阵列基板，其特征在于，所述有源层是IGZO材质，所述导电层、画素电极与公共电极都是ITO材质。

6.根据权利要求2所述的一种避免金属过刻的画素稳压阵列基板，其特征在于，所述导电层与所述漏极之间形成补充电容，所述栅极与所述漏极之间形成寄生电容，所述补充电容与所述寄生电容的电容大小相等。

7.根据权利要求2所述的一种避免金属过刻的画素稳压阵列基板，其特征在于，所述导电层与所述第二信号连接线没有覆盖到所述有源层的沟道。