[发明专利]一种MOCVD反应腔及材料生长的方法

权利要求书

1.一种MOCVD反应腔，其特征在于，包括：反应腔本体、设置于所述反应腔本体内的排气环、激光单元及激光控制单元，所述排气环包括外排气环及套设所述外排气环的内排气环，所述内排气环的内表面上安装有所述激光单元，所述外排气环的内部安装有所述激光控制单元，所述激光单元的激光有紫外和红外两个波段，所述激光控制单元用于控制所述激光的开关、激光功率、及光斑大小。

2.如权利要求1所述的MOCVD反应腔，其特征在于，所述内排气环和所述外排气环厚度比例范围在0.2～1之间。

3.如权利要求1所述的MOCVD反应腔，其特征在于，所述外排气环上设有联动装置以使所述内排气环及所述外排气环同时运动。

4.如权利要求1所述的MOCVD反应腔，其特征在于，所述外排气环为不锈钢材质，所述内排气环由2个1/2圆弧组成。

5.如权利要求1所述的MOCVD反应腔，其特征在于，所述内排气环及外排气环的冷却水可以共用，也可以分为两路冷却水，共用时所述内排气环为进水，所述外排气环为出水。

6.如权利要求1所述的MOCVD反应腔，其特征在于，所述激光控制单元的外表面还设置有保护罩。

7.如权利要求1所述的MOCVD反应腔，其特征在于，所述激光单元为若干个，且呈对称分布于所述内排气环的内表面上，所述激光单元在所述内排气环上的纵向分布范围为1～10mm。

8.如权利要求1所述的MOCVD反应腔，其特征在于，所述激光单元中的红外波段可用于探测衬底表面温度；同时将该温度信号反馈给所述激光控制单元的分析单元，所述分析单元将分析结果反馈给所述激光控制单元，所述激光控制单元根据分析结果，改变所述激光光斑的大小和激光功率的大小。

9.如权利要求1所述的MOCVD反应腔，其特征在于，紫外激光波长范围200nm～360nm，红外激光范围630nm～1000nm。

10.一种基于权利要求1所述的MOCVD反应腔的材料生长的方法，其特征在于，包括下述步骤：

将放有衬底的石墨盘传输到所述MOCVD反应腔内；

待所述MOCVD反应腔的监测温度T0高于600℃后，所述MOCVD反应腔开启所述激光单元中的红外光源，启动实时监测温度功能，探测的温度分别标记为T1/T2/T3；

当T1/T2/T3中的其中一个≥1000℃时，所述激光控制单元开启所述激光单元的红外加热功能；

当所述激光控制单元监测到生长温度均低于1000℃，关闭所述激光单元中的红外加热功能，只开启实时探温功能；

待工艺运行到p-AlGaN层后，开启所述激光单元中的紫外光源；

待T0/T1/T2/T3温度均低于600℃后，关闭所述激光单元中的紫外光源；

待T0低于500℃时，关闭所述激光控制单元。