[发明专利]具有切换时间加速的RF开关

权利要求书

1.一种射频RF开关，包括：

可切换RF路径，包括串联耦合的多个晶体管；

栅极偏置网络，包括多个电阻器，其中所述栅极偏置网络被耦合至所述可切换RF路径中的所述多个晶体管中的每个晶体管；以及

旁路网络，包括第一多个晶体管和第二多个晶体管，所述第一多个晶体管并联耦合至所述可切换RF路径中的所述多个晶体管中的每个晶体管，所述第二多个晶体管并联耦合至所述栅极偏置网络中的所述多个电阻器中的每个电阻器。

2.根据权利要求1所述的RF开关，其中所述旁路网络被配置为：在所述RF开关的切换瞬变期间，绕过所述可切换RF路径，并且绕过所述栅极偏置网络。

3.根据权利要求2所述的RF开关，其中所述第二多个晶体管中的每个晶体管被耦合至第一可变电阻器，并且其中所述第一可变电阻器被配置为：在所述RF开关的所述切换瞬变期间，在低阻抗值和高阻抗值之间切换。

4.根据权利要求3所述的RF开关，其中所述第一可变电阻器包括PMOS/NMOS晶体管电路的至少一部分。

5.根据权利要求3所述的RF开关，其中所述栅极偏置网络中的每个电阻器被耦合至第二可变电阻器，并且其中所述第二可变电阻器被配置为：在所述RF开关的所述切换瞬变期间，在低阻抗值和高阻抗值之间切换。

6.根据权利要求5所述的RF开关，其中所述第二可变电阻器包括PMOS/NMOS晶体管电路的至少一部分。

7.根据权利要求1所述的RF电路，还包括：

第一控制分支，被耦合至所述可切换RF路径；以及

第二控制分支，被耦合至所述栅极偏置网络。

8.根据权利要求7所述的RF开关，其中所述第一控制分支通过至少一个第三可变电阻器而被耦合至所述可切换RF路径，并且其中所述第二控制分支通过至少一个第四可变电阻器而被耦合至所述栅极偏置网络。

9.一种射频RF开关单元，包括：

第一晶体管，具有电流路径和控制节点；

第一偏置电阻器，被耦合至所述第一晶体管的控制节点，其中所述第一偏置电阻器被配置用于接收第一控制信号；

第二晶体管，具有电流路径和控制节点，其中所述第二晶体管的电流路径与所述第一晶体管的电流路径并联；

第二偏置电阻器，被耦合至所述第二晶体管的控制节点，其中所述第二偏置电阻器被配置用于接收第二控制信号；

第三晶体管，具有控制路径和控制节点，其中所述第三晶体管的电流路径跨所述第一偏置电阻器被耦合；以及

第一可变电阻器，被耦合在所述第三晶体管的控制节点和所述第一电阻器的电流路径之间。

10.根据权利要求9所述的RF开关单元，其中所述第一可变电阻器的阻抗值通过所述第一控制信号的电压值和所述第二控制信号的电压值来确定。

11.根据权利要求9所述的RF开关单元，还包括：第二可变电阻器，被耦合在所述第一偏置电阻器和所述第二偏置电阻器之间。

12.根据权利要求11所述的RF开关单元，其中所述第二可变电阻器的阻抗值通过所述第一控制信号的电压值和所述第二控制信号的电压值来确定。

13.一种操作射频RF开关的方法，所述方法包括：

在所述RF开关的切换瞬变期间，将所述RF开关的开关晶体管的栅极的电阻器-电容器RC常数调整到低值；以及

在所述RF开关的断开操作模式期间，将所述开关晶体管的所述栅极的所述RC常数调整到高值，其中将所述开关晶体管的所述栅极的所述RC常数调整到低值包括：在所述切换瞬变期间，使耦合至所述开关晶体管的栅极偏置电阻器短接，并且使所述开关晶体管的电流路径短接。