[发明专利]具有低反向恢复时间的快恢复二极管及其制作方法

权利要求书

1.一种具有低反向恢复时间的快恢复二极管的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

提供一快恢复二极管基体；

对所述快恢复二极管基体的背面依次进行减薄处理和腐蚀处理，减薄厚度为40～80um，腐蚀厚度为1～5um；

从所述快恢复二极管基体的背面进行金属金掺杂；

金属金掺杂完成后对所述快恢复二极管基体的背面依次进行减薄和金属蒸发，形成背垫金属层。

2.根据权权利要求1所述的制作方法，其特征在于，经过所述减薄处理和所述腐蚀处理后，所述快恢复二极管基体的应力为400～800Mpa，所述快恢复二极管基体背面的损伤层的厚度为2～3um；所述快恢复二极管基体背面的粗糙度Ra0.2um。

3.根据权权利要求1或2所述的制作方法，其特征在于，经过所述减薄处理后，所述快恢复二极管基体的应力为400～1000Mpa，所述快恢复二极管基体背面的损伤层的厚度为3～6um，所述快恢复二极管基体背面的粗糙度Ra0.3um。

4.根据权权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述减薄处理包括粗磨减薄和细磨减薄，粗磨减薄的厚度为30～50um，细磨减薄的厚度为10～30um。

5.根据权权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述腐蚀处理中腐蚀温度为21～25℃，腐蚀液为硅腐蚀液和稀氢氟酸。

6.根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于，先采用所述硅腐蚀液进行腐蚀，后采用稀氢氟酸进行腐蚀，前者的腐蚀时间为2～5分钟，后者的腐蚀时间为1～5分钟。

7.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，在采用所述稀氢氟酸进行腐蚀进行腐蚀前，对所述快恢复二极管基体进行清洗处理。

8.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述快恢复二极管基体由以下方法制备得到：

提供一衬底；

对所述衬底的正面进行氧化，得到氧化层；

对所述氧化层进行腐蚀，形成第一离子注入窗；

通过所述第一离子注入窗对所述衬底进行推阱，形成阱区和第一杂质层；

对所述氧化层进行腐蚀，形成多个第二离子注入窗；

通过多个所述第二离子注入窗对所述衬底进行推阱，形成终端结构和第二杂质层；

在所述衬底的正面淀积绝缘介质，形成绝缘层；

腐蚀绝缘层和第一杂质层，形成第三离子注入窗。

9.一种具有低反向恢复时间的快恢复二极管，其特征在于，包括快恢复二极管基体，所述快恢复二极管基体内弥散有金属金；所述快恢复二极管基体的背面设置有背垫金属层；

所述快恢复二极管的反向恢复时间为3.5～4.5ns。

10.根据权利要求9所述的快恢复二极管，其特征在于，所述快恢复二极管基体包括衬底，所述衬底上设置有阱区和终端结构；

所述衬底的正面上设置有两层功能层，每一层所述功能层均包括均与所述衬底正面粘接的第一杂质层、氧化层以及第二杂质层，氧化层设置于第一杂质层和第二杂质层之间，第二杂质层靠近所述衬底的边缘；

优选地，每一层所述功能层上均覆盖有绝缘层。