[发明专利]半导体结构及其制作方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底具有第一表面，所述第一表面包括间隔的第一区域和第二区域；

位于所述衬底中的多个浅沟槽隔离结构，相邻所述浅沟槽隔离结构之间具有所述第一区域或所述第二区域，每个所述浅沟槽隔离结构在靠近所述第一表面的一侧端部具有第一凹陷部和第二凹陷部，所述第一凹陷部位于所述端部靠近所述第一区域的一侧，所述第二凹陷部位于所述端部靠近所述第二区域的一侧，所述第一凹陷部的内表面面积小于所述第二凹陷部的内表面面积，且所述第一凹陷部中靠近所述第一区域的一侧曲线具有第一曲率半径，所述第二凹陷部中靠近所述第二区域的一侧曲线具有第二曲率半径，所述第一曲率半径小于所述第二曲率半径；

第一类型掺杂区，设置于与所述第一区域对应的所述衬底中，所述第一凹陷部形成于所述第一类型掺杂区与相邻的所述浅沟槽隔离结构之间；

第二类型掺杂区，设置于与所述第二区域对应的所述衬底中，所述第二凹陷部形成于所述第二类型掺杂区与相邻的所述浅沟槽隔离结构之间，所述第一类型掺杂区与所述第二类型掺杂区的掺杂类型相反，在第一方向上所述第一类型掺杂区的长度大于所述第二类型掺杂区的长度，所述第一方向为一个所述浅沟槽隔离结构指向另一个所述浅沟槽隔离结构的方向，所述第二类型掺杂区为PMOS区。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一凹陷部、所述第二凹陷部以及所述浅沟槽隔离结构具有平行于所述第一表面的相同延伸方向，所述第一凹陷部在所述衬底上的正投影为第一投影，所述第二凹陷部在所述衬底上的正投影为第二投影，所述第一投影的投影面积小于所述第二投影的投影面积。

3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述第一凹陷部在所述第一方向上的宽度小于所述的第二凹陷部的宽度，所述第一凹陷部在第二方向上的深度小于所述第二凹陷部的深度，所述第二方向为垂直所述衬底的方向。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：

第一绝缘介质层，覆盖每个所述浅沟槽隔离结构的侧壁和底面。

5.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供衬底，所述衬底具有第一表面，所述第一表面包括间隔的第一区域和第二区域；

在所述衬底中形成多个浅沟槽隔离结构，相邻所述浅沟槽隔离结构之间具有所述第一区域或所述第二区域，每个所述浅沟槽隔离结构在靠近所述第一表面的一侧端部具有第一凹陷部和第二凹陷部，所述第一凹陷部位于所述端部靠近所述第一区域的一侧，所述第二凹陷部位于所述端部靠近所述第二区域的一侧，所述第一凹陷部的内表面面积小于所述第二凹陷部的内表面面积，且所述第一凹陷部中靠近所述第一区域的一侧曲线具有第一曲率半径，所述第二凹陷部中靠近所述第二区域的一侧曲线具有第二曲率半径，所述第一曲率半径小于所述第二曲率半径；

在与所述第一区域对应的所述衬底中形成第一类型掺杂区，所述第一凹陷部形成于所述第一类型掺杂区与相邻的所述浅沟槽隔离结构之间；

在与所述第二区域对应的所述衬底中形成第二类型掺杂区，所述第二凹陷部形成于所述第二类型掺杂区与相邻的所述浅沟槽隔离结构之间，所述第一类型掺杂区与所述第二类型掺杂区的掺杂类型相反，所述第一类型掺杂区在第一方向上的长度大于所述第二类型掺杂区的长度，所述第一方向为一个所述浅沟槽隔离结构指向另一个所述浅沟槽隔离结构的方向，所述第二类型掺杂区为PMOS区。

6.根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于，形成所述多个浅沟槽隔离结构的步骤包括：

在所述衬底上形成刻蚀阻挡层，以覆盖所述第一表面；

顺序刻蚀所述刻蚀阻挡层和所述衬底，以形成贯穿至所述衬底中的多个第一凹槽，所述第一凹槽与所述浅沟槽隔离结构一一对应；

填充隔离材料至所述多个第一凹槽，并将所述隔离材料形成所述多个浅沟槽隔离结构。